作者单位
摘要
北京工业大学信息学部,光电子技术教育部重点实验室,北京 100124
垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL工作在基横模状态,而由于VCSEL自身的结构特点,易于激射出多横模,因此对VCSEL 横向模式的限制成为了研究热点。本文综述了VCSEL横模控制方法的研究报道,分类分析了光子晶体、表面浮雕、反波导、扩展谐振腔以及高对比度光栅结构等横模控制方法的研究进展。
激光器 垂直腔面发射激光器 基横模 控制方法 
激光与光电子学进展
2021, 58(7): 0700008
作者单位
摘要
北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
采用离子辅助电子束蒸发方法, 通过改变制备Al2O3增透膜时基底的温度, 在边发射半导体激光器前腔面上分别制备了张应力和压应力增透膜。比较了张应力、压应力两种不同增透膜对半导体激光器性能的影响。结果表明: 在10A注入电流下, 当半导体激光器的增透膜为张应力状态时, 输出功率为8.11W; 当半导体激光器的增透膜为压应力状态时, 输出功率为7.74W。可见, 在半导体激光器前腔面制备张应力增透膜有效地提高了半导体激光器的斜率效率。
半导体激光器 薄膜应力 斜率效率 laser diodes film stress slope efficiency 
半导体光电
2020, 41(1): 77

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