以四丙基氢氧化铵为模板剂，商业硅溶胶为硅源，在100 ℃下合成了晶种溶液。同时，在无模板剂体系下，以晶种溶液辅助成功合成了结晶度良好的ZSM-5沸石，并探究了其合成条件。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、N2吸附-脱附、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线荧光光谱(XRF)和氨气程序升温脱附(NH3-TPD)测试方法对合成的沸石样品进行表征。结果表明：在无模板剂存在下，仅添加0.5%(质量分数)晶种溶液即可合成ZSM-5沸石；同时，在最佳合成条件下，170 ℃晶化8 h可合成亚微米级ZSM-5沸石团聚体，粒径为500 nm左右。此外，在偏三甲苯异构化反应中，硅铝比为30的样品具有更好的催化性能，其偏三甲苯质量转化率、均三甲苯质量收率及均三甲苯选择性分别为32.81%、20.81%和63.42%。

为进一步提高超二代像增强器分辨力, 分析了阴极输入窗、多碱光电阴极、微通道板、荧光屏等对超二代像增强器分辨力的影响, 提出了减小阴极近贴距离、减小微通道板通道孔径、减小光纤面板输出窗丝径以及对微通道板镀制防电子弥散膜来提高分辨力的方法, 并通过实验得到了验证。实验结果表明, 随着阴极近贴距离的不断减小, 分辨力可以得到逐步提高。阴极近贴距离为 0.08 mm的条件下, 缩小光纤面板输出窗的丝径, 缩小微通道板的孔径, 且在微通道板的输出面镀制防电子弥散膜, 可以使超二代像增强器的分辨力达到 72 lp/mm, 最高可达到 76 lp/mm, 比原有超二代像增强器的分辨力提高了 33.33%。

采用试验对比分析的方法, 从 MCP斜切角对像增强器的 MCP噪声因子、分辨力、MCP增益三方面的影响展开研究。试验结果表明, MCP斜切角在 5.～12.范围内时, MCP噪声因子与 MCP斜切角呈抛物线关系, 当 MCP斜切角为 9.时, MCP噪声因子最小; 分辨力与斜切角呈负相关关系, 当 MCP斜切角为 5.时, 分辨力最大; MCP增益随斜切角的增加呈抛物线变化, 当 MCP斜切角为 9°时, MCP增益最大。这主要是因为改变 MCP斜切角后, 光电子进入 MCP通道前端二次电子发射层的角度深度不同, 激发出的二次电子数及电子在 MCP输出端形成的散射斑半径存在差异。若要选择最佳 MCP斜切角, 必须综合考虑不同场景下对像增强器主要性能指标的要求。

二代像增强器采用Na2KSb光电阴极, 三代像增强器却采用 GaAs光电阴极。由于GaAs光电阴极具有更高的阴极灵敏度, 因此三代像增强器的性能远高于二代像增强器。在二代像增强器基础上发展的超二代像增强器, 阴极灵敏度有了很大提高, 因此性能也有很大提高, 同时大大缩短了与三代像增强器的性能差距。超二代像增强器属于 Na2KSb材料体系, 生产成本低, 与三代像增强器相比性价比较高, 所以欧洲的像增强器产商选择了超二代像增强器技术的发展路线。超二代与三代像增强器技术并行发展了 30多年, 两者性能均有大幅提高。超二代与三代像增强器的性能差距主要体现在极低照度(＜10－4 lx)条件下, 而在其它照度条件下, 性能基本相当。超二代像增强器的性能仍有提高的空间。增益方面, 在微通道板的通道内壁上制作高二次电子发射系数的材料膜层可以提高增益；信噪比方面, 采用光栅窗可提高阴极灵敏度, 从而提高信噪比；分辨力方面, 在微通道板输出端制作半导体膜层、采用高清荧光屏均可提高分辨力。阴极灵敏度是光电阴极的指标, 不是像增强器的整体性能指标。阴极灵敏度对像增强器整体性能的影响体现在增益、信噪比以及等效背景照度指标中。无论是超二代还是三代像增强器, 都区分不同的型号。不同型号的超二代或三代像增强器性能均不相同。超二代和三代像增强器的性能指标是在 A光源条件下测量的, 而 A光源光谱分布与实际应用环境中的光谱分布并不等同, 同时 Na2KSb和 GaAs光电阴极的光谱分布不相同, 所以超二代和三代像增强器的信噪比、分辨力等性能指标不具备可比性。

超二代和三代像增强器是两种不同技术的像增强器，其在光电阴极、减反膜、离子阻挡膜以及阴极电压方面存在区别。在极限分辨力方面，尽管三代像增强器 GaAs光电阴极的电子初速小、出射角分布较窄以及阴极电压较高，但目前两种像增强器的极限分辨力均相同，三代像增强器 GaAs光电阴极的优势在现有极限分辨力水平下并未得到发挥。在信噪比方面，尽管 GaAs光电阴极具有更高的阴极灵敏度，但因为较高的阴极电压以及离子阻挡膜透过率的影响，使得两种像增强器的信噪比基本相同，三代像增强器 GaAs光电阴极高灵敏度的优势也未得到发挥。在增益方面，尽管三代像增强器具有更高的阴极灵敏度以及较高的阴极电压，但超二代像增强器通过提高微通道板的工作电压来弥补阴极灵敏度以及阴极电压的不足，因此在现有像增强器增益的条件下，两种像增强器的增益完全相同。在等效背景照度方面，由于三代像增强器 GaAs光电阴极的灵敏度更高，因此在相同光电阴极暗电流的条件下，三代像增强器可以获得更低的等效背景照度，所以三代像增强器较超二代像增强器具有更高的初始对比度。在光晕方面，由于三代像增强器光电阴极的灵敏度较高，同时具有离子阻挡膜，因此理论上讲，三代像增强器较超二代像增强器具有更高的光晕亮度，但实际的情况是两种像增强器的光晕亮度基本相同。在杂光方面，GaAs光电阴极具有减反膜，因此杂光较超二代像增强器低，所以三代像增强器的成像更清晰，层次感更好。在带外光谱响应方面，由于超二代像增强器 Na2KSb（Cs）光电阴极的带外光谱响应高于三代像增强器，因此在近红外波段进行辅助照明时，超二代像增强器较三代像增强器成像性能更好。在低照度分辨力方面，具有相同性能参数的超二代和三代像增强器具有相同的低照度分辨力。需要注意的是，这是在标准 A光源测试条件下所得出的结论。当实际的环境发射光谱分布与标准 A光源发射光谱分布不相同时，两种像增强器的低照度分辨力将会不同。

微光技术是现代化**夜视装备的支撑技术之一，是研究夜间低照度或非可见光弱辐射强度条件下，对目标进行探测、观察、识别、定位、记录的一类高新技术，具有隐蔽性好、图像清晰的优点。掌握先进的微光技术对于掌控以夜间战争为特点的现代化战争局势至关重要。此外，微光技术也广泛应用于安防监控、辅助驾驶、天文观察、航空航天、资源勘探、生物医学等民用领域。微光技术涉及光学、材料学、物理学、化学等多个学科领域。代表微光技术发展的微光夜视仪其核心部件是微光像增强器，是通过增强目标反射回的微光，实现人眼夜间观察目标图像。微光像增强器向性能提高及光谱响应范围扩展技术方向发展，基于微光像增强器开发的微光系统向信息融合及多功能集成技术方向发展。国外微光技术经过六十多年的更迭和发展，目前正朝着多样化、数字化、彩色化、智能化、集成化的技术方向发展，微光像增强器的性能仍在进一步发展提高。国内微光技术经过四十多年发展已取得了较大进步，但是发展还不充分，与国外最先进微光技术水平仍存在一定差距。为了促进国内微光技术的深入研究和创新发展，2022年 8期，《红外技术》推出了“前沿微光技术”专栏，共收录 8篇学术论文，涵盖了材料、器件、系统方面的研究，内容包括半导体光电阴极的研究进展，氮化镓光阴极薄膜材料表面光电压谱特性，高真空系统气体成分对 GaAs光电阴极稳定性的影响，采用干法刻蚀进行微通道板扩口理论模型，适用于电子倍增器件的电荷灵敏放大器的设计，普通高压电源超二代微光像增强器亮度增益温度特性，超二代与三代像增强器性能的比较，外场微光像增强器成像效果对比评测方法与系统，内容涉及光电阴极、电子倍增器、像管性能评价等多个领域，旨在探讨国内外微光技术领域的先进技术和研究成果，为相关科研人员和广大读者提供学术价值参考，为国内微光技术的研究发展提供一些新思路。

在某些类型装备的修理过程中，需对装备进行分解，更换故障件后再进行装配。这类装备在生产时使用了多种胶黏剂，修理时需将密封胶清除干净并在装配时重新封胶。已有的修理工艺均采用人工除胶，清除效率低且除胶效果一般。激光清洗技术是一种新型表面清洗技术，具有清洗效率高、清洗精度高等特点，已广泛应用于金属材料表面氧化物清洗、飞机蒙皮清洗、半导体晶圆清洗等领域。对激光清洗技术在某些类型装备修理中应用的可行性进行了研究，对比了不同基底材料、不同胶黏剂类型、不同激光脉冲能量的清洗效率及清洗效果。结果表明，激光清洗技术可清洗金属、玻璃等表面的胶黏剂，但会对木材、电路板等基底材料造成不可逆的损伤。

选区激光熔化中逐行逐层扫描粉末成形的熔道以及熔结表面在很大程度上影响制件质量。从选区激光熔化的工艺原理出发, 得到单行扫描优化的线能量密度范围, 进一步结合平均重熔率对多行扫描熔道搭接的介观表面形貌进行分析, 结果表明, 线能量密度在0.070~0.217 J/mm时, 熔道相对连续、线宽相对均匀; 多行扫描的平均重熔率过小会造成较大表面高度差, 过大会产生裂纹, 平均重熔率为18%~50%时能得到较为平整的熔结表面。

为研究超二代像增强器在不同输入照度下的分辨力变化规律，在不同照度下分别对不同极限分辨力、信噪比以及等效背景照度像增强器的分辨力进行了测试。通过测试数据的分析，得出了极限分辨力、信噪比及等效背景照度在不同照度下对分辨力影响的规律。该规律表明，在 5×10-2 lx～ 5×10-3 lx照度区间，不同性能参数像增强器的分辨力均等于其极限分辨力，并且分辨力不随照度的降低而降低; 在 5×10-3 lx～5×10-7 lx照度区间，分辨力不等于其极限分辨力，并且分辨力均随照度的降低而降低。在分辨力随照度降低的过程中，信噪比越高，等效背景照度越低的像增强器，其分辨力下降的速率越低，并且分辨力相对更高。在 5×10-3 lx～5×10-6 lx照度区间，信噪比对分辨力的影响较大; 但在 5×10-6 lx～5×10-7 lx照度区间，等效背景照度对分辨力的影响更大。像增强器主要在弱光下使用，因此在弱光下的分辨力更重要。要使像增强器在 5×10-3 lx～5×10-7 lx照度区间具有更高的分辨力，除需要提高极限分辨力外，还需要提高信噪比及降低等效背景照度。