1 1.山东大学 晶体材料国家重点实验室, 新一代半导体材料研究院，济南 250100
2 2.广州南砂晶圆半导体技术有限公司, 广州 511458
碳化硅具有优异的物理化学性能, 在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力, 成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破, 使用物理气相传输法(Physical vapor transport, PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底, 其中螺位错(Threading screw dislocation, TSD)密度为0.55 cm-2, 基平面位错(Basal plane dislocation, BPD)密度为202 cm-2。
4H-SiC 8英寸 低位错密度 单晶衬底 4H-SiC 8-inch low dislocation density single crystal substrate
陕西师范大学 物理学与信息技术学院, 西安 710062
采用水热合成法和Stber法制备了氨基功能化SiO2包覆的Fe3O4磁性纳米微球Fe3O4@SiO2-NH2, 它与巯基乙酸修饰的CdTe量子点通过酰胺缩合反应, 将量子点键合到磁性微球上, 制备出单分散性的Fe3O4@SiO2@CdTe磁性荧光双功能微球.用透射电子显微镜、X-射线衍射仪、荧光分光光度计、振动样品磁强计表征了该纳米复合微球的结构和性能.结果表明: Fe3O4@SiO2@CdTe磁性荧光复合微球单分散性好, 平均粒径为470 nm, 饱和磁化强度为37.9 emu/g, 具有良好的超顺磁性和较高的荧光发光效率.
磁性纳米粒子 CdTe量子点 磁性荧光微球 发光效率 水热合成法 Magnetic nanoparticles CdTe quantum dots Magnetic fluorescent microspheres Efficiency fluorescent light Hydrothermal synthesis method
