采用熔融淬火法制备了Er3+掺杂53ZrF4-20BaF2-4LaF3-3AlF3-20NaF-2.4PbF2(ZBLAN)氟化物透明玻璃。在10 K~540 K温度范围内，测量了对应于Er3+斯塔克分裂能级4S3/2(1)→4I15/2和4S3/2(2)→4I15/2（对应波长分别为542 nm和548 nm）的变温荧光光谱，结果显示环境温度升高时，样品在两个发射位置的发光强度均快速衰减，但是衰减速率有所差异，结合位形坐标模型讨论认为，两斯塔克能级的激活能分别为ΔE1=0.078 eV和ΔE2=0.049 eV，其差异导致了二者热猝灭速率不同。分析了斯塔克分裂能级跃迁的荧光强度比(FIR)随温度的变化规律，结果显示在低温区域FIR随温度呈现线性增加，而高温区则趋于平缓。计算了样品的温度灵敏度随温度的变化，结果表明，在温度90 K时，灵敏度达到最大为0.0011 K-1。该材料对环境温度敏感性可应用于光学温度传感器。

采用化学溶液法在氧化铟锡(ITO)衬底上合成ZnO纳米棒，以不同的速度将无定形SiO2材料旋涂于ZnO纳米棒，制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/SiO2/Al全无机电致发光器件。借助能谱(EDS)和吸收光谱，发现当转速从3000 r/min降低到500 r/min时，SiO2的附着量逐渐增多。比较了旋涂速度对器件的电致发光光谱的影响，发现对于同一旋涂速度形成的器件，紫外发光强度随电压的增大而增强，可见区的发射则逐渐减弱；而不同旋涂速度下获得的器件的紫外发光强度显示出随电压升高先增大后减小的趋势，当旋涂速度为1000 r/min时，紫外发射最强，可见区发光几乎消失；I-V曲线测量显示随着转速的降低，器件的启亮电压变大，最大工作电流逐渐变小。结合光致发光(PL)图谱和能级结构图分析认为，SiO2除了能钝化ZnO纳米棒表面缺陷，还具有改善载流子在发光层的平衡和增大电子注入能量的作用，其较高的势垒对发光层内的电子具有限制作用，提高了在活性层中的电子和空穴的复合率。此外，SiO2的加速作用也有助于提高高能态缺陷能级的电子密度及复合几率。