作者单位
摘要
1 济南大学,理学院,山东,济南,250022
2 中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
3 中国矿业大学,基础系,北京,100083
4 西北核技术所,陕西,西安,710024
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线.实验显示:经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象.总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为.退火实验表明;强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快.退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阀电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移.导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象.
X射线 强辐射场 界面态 X-ray intense irradiation field interface stateqd 
强激光与粒子束
2002, 14(4): 521
作者单位
摘要
中国科学院物理研究所光物理实验室, 北京 100080
当染料溶液中存在强散射微粒时,激光激励能产生强的窄光谱宽度的辐射。这种效应与增益区的长度有关。光子和散射颗粒的多次弹性散射可以增大有效增益长度。
染料 光辐射 散射微粒 
光学学报
1996, 16(6): 893

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