作者单位
摘要
1 天津大学电子信息工程学院, 天津300072
2 中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京100083
3 中国科学院半导体研究所, 半导体集成技术工程研究中心, 北京100083
4 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京100083
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。 在热驱动方式下, 分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。 实验结果表明, 电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差, 电学相变温度为63 ℃, 高于光学相变温度, 60 ℃; 电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽; 在红外光波段, 随着波长的增加, 纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大, 由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高, 相变持续的温度宽度变窄。 在红外光波段, 纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控, 电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性
纳米二氧化钒薄膜 光学相变 电学相变 Nano VO2 thin films Optical phase transition Electrical phase transition 
光谱学与光谱分析
2010, 30(4): 1002
梁继然 1,2,*胡明 1王晓东 2阚强 2[ ... ]陈弘达 2
作者单位
摘要
1 天津大学 电子信息工程学院,天津300072
2 中国科学院半导体研究所,北京100083
采用双离子束溅射方法制备氧化钒薄膜, 分别利用常规和快速两种升温方式对氧化钒薄膜进行热处理, 利用傅里叶变换红外光谱技术对热处理后氧化钒薄膜的变温光学透射性能进行测试, 并对5μm波长处透过率随温度的变化曲线进行相变特性分析.实验结果表明, 经过常规和快速升温热处理后均获得了二氧化钒薄膜;快速升温热处理后得到的薄膜中二氧化钒晶粒较小, 尺寸分布均匀;而常规升温热处理后的二氧化钒薄膜中晶粒尺寸分布较宽、常规和快速升温热处理后, 氧化钒薄膜的光透过率均存在可逆突变特性, 变化幅度均超过60%.相变性能分析结果表明, 快速升温热处理获得的二氧化钒薄膜相变持续的温度宽度较大, 光学相变温度为63.74℃, 高于常规升温热处理的60.31℃.
氧化钒薄膜 红外透射光谱 快速升温 vanadium dioxide thin film infrared transmission spectrum rapid elevating temperatue 
红外与毫米波学报
2010, 29(6): 457

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