1 天津大学电子信息工程学院, 天津300072
2 中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京100083
3 中国科学院半导体研究所, 半导体集成技术工程研究中心, 北京100083
4 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京100083
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。 在热驱动方式下, 分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。 实验结果表明, 电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差, 电学相变温度为63 ℃, 高于光学相变温度, 60 ℃; 电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽; 在红外光波段, 随着波长的增加, 纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大, 由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高, 相变持续的温度宽度变窄。 在红外光波段, 纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控, 电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性
纳米二氧化钒薄膜 光学相变 电学相变 Nano VO2 thin films Optical phase transition Electrical phase transition 光谱学与光谱分析
2010, 30(4): 1002
