制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/polyvinylcarbazole (PVK)/carbon quantum dots(CDs)/LiF/Al的电致发光器件。器件的发光光谱显示: 在电压从7 V增大到13 V的过程中, 光谱峰值从380 nm移动到520 nm, 色坐标由(0.20,0.20)移动到(0.29,0.35)。经与PL光谱对比认为, EL光谱包含了PVK与碳量子点的双重贡献, 随着电压的增大, 碳量子点的发射逐渐增强, PVK发光先增强后减弱。结合器件能级结构讨论了器件的发光机制, 认为低电场下的PVK兼具发光层和电子阻挡层的功能, EL光谱为PVK层和碳量子点的发光叠加; 随着电场强度的增大, 碳量子点和PVK界面区的空间电荷阻止了电子向PVK的传输, 光谱转变为由碳量子点和激基复合物的共同贡献。

研究了碳量子点负载的TiO2纳米棒阵列光阳极的光电化学过程和光催化行为。实验发现碳量子点的引入使TiO2纳米棒阵列在可见光区域的吸收强度增强,对可见光的响应电流提高3倍,光照下的开路电位增加了2.5%,光生载流子的转移和传输能力得到相应提高。光阳极对亚甲基蓝的降解特性显示,碳量子点的引入使TiO2纳米棒在可见光照射下的催化效率由25%提高到33%。利用电化学交流阻抗谱(EIS)、Mott-Schottky曲线讨论了光影响下的电荷运动过程,表明TiO2纳米棒阵列负载碳量子点后的电荷转移电阻减小,电子寿命增加; 碳量子点的负载使TiO2纳米棒的平带电位负移,导带位置提高,电子的还原能力增强。

采用微波水热法一步合成了核壳结构的CdSe/CdS纳米晶, 讨论了巯基丙酸中S2-的释放过程对纳米晶生长的影响。XRD和Raman光谱结果表明, 140 ℃合成温度下获得了CdSe/CdS核壳结构的纳米晶。FTIR光谱结果表明, 巯基丙酸随时间的分解有助于CdS壳层的形成。PL光谱呈现出CdSe纳米晶的带间发射和缺陷发射, 随着核壳结构的形成, CdSe纳米晶的表面缺陷被抑制, 相关的荧光发射减弱。