通过在有机发光二极管（OLED）的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(d nm)/NPB(40-d nm)/Alq3(70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)、ITO/ MoO3 (15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3 (70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)结构的器件，研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响。实验发现，当缓冲层的厚度为15 nm时，器件的启亮电压从未加缓冲层的13 V降到了9 V，最大发光亮度从未加缓冲层的5900 cd/m2增加到16300 cd/m2，是原来的2.76倍。最高的电流效率也由未加缓冲层的1.8 cd/A变为3.5 cd/A，是原来的1.94倍。然后在器件的氧化铟锡（ITO）与NPB之间插入了厚度为15 nm的MoO3缓冲层。与同厚度的m-MTDATA器件相比,插入MoO3缓冲层器件的启亮电压降低为8 V，最大亮度为13320 cd/m2，最大电流密度为6030.74 A/m2，最大的电流效率为3.06 cd/A。

为了研究聚芴材料DSFX-SFX分子在气液两相表面的行为, 分子处于溶液、LB膜及粉末状态的光学特性, 以及分子有序排列对其发光特性的影响, 制备了聚芴材料DSFX-SFX的X型LB膜, 研究了π-A等温曲线, 测量了其紫外-可见吸收谱和稳态荧光光谱。结果表明, 分子以face-on形式平躺在亚相表面, 单分子面积为4.78 nm2。在氯仿溶液中吸收峰位在354 nm, 归属于分子中三聚氧杂蒽部分与芴环间π-π*电子跃迁; 荧光发射峰位在396, 419, 445 nm(肩峰), 归属于发色团三聚氧杂蒽, 是芴环与氧杂蒽环之间的电荷转移。在LB膜中, 吸收谱和荧光光谱与其溶液光谱相比, 整体红移6 nm。结果表明: 在LB膜中, 两个分子形成激基缔合物, 与单分子状态相比, 激基缔合物的HOMO升高而LUMO降低。与粉末状态相比, 该材料在LB膜中有很强的荧光发射, 表明该材料形成有序排列超薄膜有利于荧光发射。

在实验上研究了不同材料构成的一维窄带光子晶体带隙特性，采用电子束热蒸发技术，制备了一系列可见光范围内的窄带光子晶体反射镜。实验结果表明：高低折射率比值能够影响光子晶体对相应频率光的抑制能力。折射率比值恒定时，随周期数的增多，最大反射率增大，带隙宽度减小；对于折射率比值不同的光子晶体，折射率比值越小，带隙越窄，达到高反射率所需的周期数目越多。通过构建异质结构光子晶体，显著缩小了光子晶体带隙，并使其在短周期内实现了窄帯高反射率。

从量子力学角度分析银铝共掺硫化锌可以作为高效电子传输层材料, 从理论上计算出杂质原子的波尔半径, 对于银铝共掺硫化锌作为高效的电子传输层的最佳厚度给出了理论参考值。利用银铝共掺硫化锌作为电子传输层, 制备了结构为ITO/NPB/Alq3/ZnS∶Ag-Al(x)/PBD/Al的有机电致发光器件, 分析了不同厚度的银铝共掺硫化锌电子传输层对器件发光强度的影响, 并对共掺硫化锌中载流子传输机制进行了分析。实验发现共掺硫化锌具有良好的空穴阻挡和电子传输性能。当银铝共掺硫化锌电子传输层厚度为8 nm时, 器件的相对发光强度和电致发光强度相对于没有电子传输层的器件分别增加了430倍和130倍, 器件的阈值电压也降低了4 V。与纯硫化锌作为电子传输层器件相比, 相对发光强度提高3倍。

利用热力学统计理论及薄膜生长理论，给出了薄膜堆积密度、折射率与基底温度之间的关系。在实验中采用电子束热蒸发技术，在不同的沉积速率和基底温度下制备了单层二氧化硅薄膜。研究了沉积速率与薄膜表面均匀度及折射率的关系，并着重分析了基底温度对薄膜折射率、透射率、表面形貌及微观结构的影响。实验结果表明：基底温度升高，薄膜表面粗糙度减小，晶粒间隙缩小，折射率增加，透射率提高，吸收度降低。且当基底温度为500 ℃时，在可见光区域SiO2薄膜的透射率可达99.4%以上。对实验数据进行拟合，理论计算与实验结果符合得很好。