作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室, 北京 100015
高性能实用化辐射源是太赫兹应用的关键器件, 利用周期结构电磁色散中的止带区域具有耦合阻抗高的特点, 电子注和电磁波能够高效互作用, 可以实现大功率太赫兹振荡器。带边振荡器(BO)相比于传统的返波振荡器(BWO), 可以实现大功率输出, 在 W波段能达到百瓦量级, 太赫兹波段能达到瓦级; 采用周期永磁聚焦系统, 可以实现小体积轻质量; 慢波结构尺寸短, 结构简单; 成本低, 具有批量生产能力。本文提出可构建 3π止带的交错子周期折叠波导慢波结构 (FWG SWS)和双频双模双向带边振荡器工作机理, 采用皮尔斯双阳极电子枪、周期永磁聚焦系统、金刚石输能窗以及高效率收集极, 设计和研发了频率在 100 GHz以上的几种带边振荡器, 实现了 100 GHz频段 140 W的功率输出, 120 GHz频段实现了 30 W的功率输出, 在 300 GHz实现了 1W以上的功率输出。
周期结构 色散特性 太赫兹 带边振荡器 真空电子器件` periodic structure dispersion characteristics terahertz Band-edge Oscillators vacuum electron devices 
太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(9): .1065
作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家重点实验室, 北京 100015
为分析折叠波导行波管互作用电路切断位置的功率和频谱特性, 提出并研制出一只四端口 W波段脉冲行波管。对该行波管频带内互作用电路的 S参数、切断处功率和对应频谱特性进行测试, 分析表明: 端口 2(输入段的切断)的功率幅值主要取决于饱和状态下行波管的输入功率, 与输入段增益不成正比关系分布; 端口 3(输出段切断)功率主要取决于端口匹配性能, 其数值计算功率和测试数据吻合良好。本文研究为毫米波及太赫兹行波管切断设计提供了一种有效方法。
行波管 切断位置 折叠波导 W波段 Traveling Wave Tube sever region Folded Waveguide W-band 
太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(10): 1211
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第十二研究所微波电真空器件国家重点实验室, 北京 100015
行波管具有大功率、高增益等优点, 是雷达、电子对抗系统等**装备的核心电子器件。采用一种新型慢波结构 ——非半圆弯曲变形折叠波导, 设计出低电压、高效率、宽带 W波段脉冲行波管, 工作电压 16 kV, 电流125 mA, 6 GHz带宽内输出功率大于 125 W, 增益大于 34 dB, 电子效率与总效率分别大于 6.3%,25.7%。
W波段 折叠波导 低电压 高效率 行波管 W-band Folded Waveguides low voltage high efficiency Traveling -Wave Tubes 
太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(4): 726
作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室, 北京 100015
为解决现有多晶金刚石用于太赫兹 (THz)真空电子器件输能窗存在慢性漏气风险的技术难题, 介绍了一种高断裂强度、良好真空密封性能、低微波损耗的新型超薄复合多层金刚石膜的研制方法。该复合超薄金刚石膜采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)技术, 通过合理的结构设计和优化工艺, 实现微米晶金刚石 (MCD)和超纳米晶金刚石 (UNCD)交替沉积的三明治结构。测量 100 μm厚不同结构的复合膜断裂强度, 是同样厚度的 MCD的 2~3倍。将研制的复合多层金刚石膜用于 180 GHz和 220 GHz太赫兹行波管输能窗, 通过气密性检测, 漏率 ≤1×10-10 Pa.m3/s。窗的冷测结果显示, 180 GHz窗的 S11≤-15 dB(10 GHz带宽), 220 GHz窗的 S11≤-10 dB(20 GHz带宽), 均具有良好的射频 (RF)性能, 满足使用要求。为太赫兹行波管输能窗的研制提供了一种成本低、可靠性高的超薄金刚石膜的技术途径。
超纳米金刚石 微米金刚石 断裂强度 传输损耗 Ultra-Nano-Crystalline Diamond Micro -Crystalline Diamond fracture strength transmission loss 
太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(3): 374
作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所 微波电真空器件国家重点实验室,北京 100015
介绍了太赫兹频段真空电子器件的研究和开发进展,包括慢波结构理论、设计、模拟及优化,微加工和微组装技术,整管技术等。这些器件包括行波管、返波管、斜注管、止带振荡器及行波管谐波放大器等,高频结构以折叠波导慢波结构为主,在太赫兹返波管中则利用叶片加载波导慢波结构。器件技术包括微机电系统(MEMS)技术,微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石生长、金属化和封接技术等。最后给出W 波段、G 波段以及340 GHz 部件和器件所达到的性能。
太赫兹 行波管 返波管 微机电系统技术 金刚石 terahertz Traveling Wave Tube Backward-Wave Oscillator Micro Electro Mechanical System diamond 
太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(5): 684
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司 第十二研究所, 微波电真空器件国家级重点实验室, 北京 100015
为了抑制W波段折叠波导行波管研制中的自激振荡, 保证行波管正常放大工作, 分析了折叠波导慢波结构中反射振荡、返波振荡和带边振荡的产生原因, 开展了折叠波导行波管振荡抑制技术研究, 通过优化设计和工艺研究采用周期跳变作为关键技术用于W波段折叠波导行波管的研制。通过模拟检验和实验验证, 证明采用了振荡抑制技术后行波管自激振荡得到了有效的抑制, W波段脉冲行波管在20%占空比时脉冲输出功率大于100 W, 带宽大于5 GHz。
W波段 折叠波导 行波管 振荡 抑制 W-band folded waveguide traveling wave tube oscillation suppression 
强激光与粒子束
2013, 25(5): 1195

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