1 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京大学物理学院, 北京 100871
2 中国科学院高能物理研究所, 北京 100039
3 北京大学现代光学研究所, 北京 100871
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构, 并分别制作了脊形波导GaN基激光器。 同步辐射X射线衍射, 电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明, 相对于GaN垒材料, InGaN垒材料, AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量, 提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。 相关的机制为： 组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加, 阱区收集载流子的能力增强； In的掺入能更多地补偿应力, 减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度； In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场, 电子空穴波函数空间交叠得以加强, 使得辐射复合增加。
GaN基激光器 多量子阱(MQWs) 垒材料 GaN-based LD Multi-quantum-well (MQW) AlInGaN AlInGaN Barrier material 光谱学与光谱分析
2009, 29(6): 1441
1 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871
2 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871
利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,正向电流为20mA时,白光LED的轴向发光强度为1.1～2.3cd,正向电压小于3.5V,色度坐标为(0.28,0.34),显色指数约为70.
光源 白光LED. light source InGaN InGaN YAG YAG white LEDs.
1 北京大学物理系, 北京 100871
2 中国科学院上海光机所, 上海 201800
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23 mA(激光器腔长为200 μm，CW，13 ℃)。激射波长为1.48 μm，最高输出功率达18.8 mW (L=200 μm,CW，18 ℃)。脉冲输出峰值功率大于50 mW(脉冲宽度1 μs、频率1 kHz)，未见功率饱和。量子阱的阱宽为20 nm[1].
液相外延 半导体激光器 量子阱
