作者单位
摘要
1 School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, CHN
2 School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, CHN;School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, CHN
根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附模型。利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附。结果表明,残余气体提高了表面功函数。功函数的变化是由吸附质与表面之间的偶极矩引起的,残余气体与阴极材料形成由体内指向表面的偶极矩,不利于光电子的逸出。在紫外波段,残余气体吸附表面的吸收系数小于Cs原子吸附表面的吸收系数。
Ga0.75Al0.25N(0001)表面 密度泛函理论 残余气体 功函数 吸收系数 Ga0.75Al0.25N(0001) surface density functional theory foreign gases work function absorption coefficient 
光电子技术
2021, 41(1): 17
作者单位
摘要
南京信息工程大学 物理与光电工程学院,南京210044
基于第一性原理计算得到了Zn⁃,Be⁃掺杂以及Zn⁃H⁃,Be⁃H⁃共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的形成能、原子结构、能带结构、态密度以及复折射率。结果表明Zn原子更容易作为代位式掺杂原子存在,而Be原子更容易表现为间隙式掺杂原子。代位式的Be和Zn原子都作为受主杂质存在,使GaAs0.5P0.5材料呈现p型导电特性。然而间隙式Be原子使得费米能级进入导带,材料表现出n型导电特性。掺杂原子Zn和Be旁边加入H原子使得掺杂原子失去受主特性,费米能级重新回到带隙中,材料变成本征半导体,即H原子将p型杂质钝化。在0~3 eV能量范围,代位式Zn原子和Be原子使得材料折射率明显增大,呈现反常色散特性。
第一性原理 GaAs0.5P0.5材料 掺杂与共掺杂 能带结构 复折射率 first principle calculations GaAs0.5P0.5 materials dopant and codopant band structure complex refractive index 
光电子技术
2021, 41(2): 125
作者单位
摘要
1 南京信息工程大学物理与光电工程学院, 江苏 南京 210044
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
3 同济大学物理科学与工程学院, 上海 200092
头戴显示系统在现代教育、医疗和娱乐等领域具有广泛的应用,离轴反射式头戴显示光学系统是头戴显示系统的一种设计形式,既能满足小型化和结构紧凑的需求,又能实现宽光谱成像,无需校正色差;然而,现有离轴反射式头戴显示光学系统的设计难以满足大出瞳直径和小F数相兼容的要求。针对该问题,提出基于光学自由曲面的离轴两反头戴显示光学系统,实现了大出瞳直径和小F数。该自由曲面头戴显示光学系统分别采用双曲率基面自由曲面和XY多项式自由曲面,出瞳直径为10 mm,F数为3.0,视场角为28°,出瞳距大于15 mm。该系统的成像性能满足要求且优于现有设计结果。
光学设计 头戴显示光学系统 光学自由曲面 大出瞳直径 小F数 
光学学报
2018, 38(7): 0722003

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