利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列，采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上，借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列，利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明，一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀，电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小，随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明，在栅压和阳压分别为140 V和2000 V，阴极和阳极的距离为1100 μm时，薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮，其器件的最大阳极电流为232 μA，峰值亮度为270 cd/m2，稳定发射400 min，发射电流无明显衰减，表明器件场发射性能良好，具有潜在的应用前景。

采用表面效应单元施加表面载荷的方法来研究场发射显示器基板支撑系统。预先设定基板承受力,以基板的面积、厚度为参数来进行模拟,利用ANSYS有限元分析软件建立基板模型,采用二维模型和三维施加表面载荷的方法,进行模拟仿真,得出基板形变、应力与基板厚度、面积的关系,为支撑墙的排列优化提供理论参考。