作者单位
摘要
中国工程物理研究院 流体物理研究所,脉冲功率技术重点实验室,四川 绵阳 621900
针对雷电间接效应多重脉冲组电流模拟需求,完成了雷电间接效应多重脉冲组模拟源的设计,采用20个Crowbar电路支路,通过分时放电的方式实现1个脉冲串内多脉冲输出需求,每个支路可以实现最小间隔30 ms的重复频率放电,从而实现3个脉冲串的输出需求。对放电支路的参数进行了详细设计,分析了电容、波尾电路电感、波尾电路电阻参数变化对输出特性的影响。分析了采用并联大电容实现放电电容重复频率快速充电的可行性,完成了装置的初步结构设计并结合装置结构简要分析了电路模拟参数设置的合理性。该装置建成后,可为电子、电气设备等开展测试提供技术支持。
雷电间接效应 多重脉冲组(H波) 雷电模拟源 冲击电流发生器 indirect effects of lightning multiple pulse sets (H-waves) lighting analog source impulse current generator 
强激光与粒子束
2024, 36(2): 025001
沙慧茹 1,2肖龙飞 1,2,*栾崇彪 3冯琢云 1,2,3[ ... ]徐现刚 1,2
作者单位
摘要
1 山东大学 新一代半导体材料研究院,济南 250100
2 山东大学 晶体材料国家重点实验室,济南 250100
3 中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳 621900
制作了同面型砷化镓光导开关,并测试了其导通性能。在偏置电压8 kV、激光能量10 mJ、重复频率10 Hz的条件下,研究了光导开关触发104次后器件表面的损伤形貌。利用激光扫描共聚焦显微镜,对电极边缘及电极间的损伤形貌进行分析,研究发现阳极边缘由于热积累形成热损伤,而阴极边缘的热损伤来源于热应力,并对电极间损伤形貌进行细致表征及分类。
光导开关 砷化镓 损伤 形貌 热效应 photoconductive semiconductor switch gallium arsenide damage morphology heat effect 
强激光与粒子束
2022, 34(9): 095018
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621900
特种电源技术是电源技术研究领域中极为活跃的研究方向, 与存在广泛市场需求的通用电源技术相比, 其与物理、化学、材料科学与工程、环保、生物医学、高新装备、航空航天等科研、**、工程领域的发展关系更为紧密。近年来, 在大科学工程、高新装备等的需求推动下, 特种电源技术研究综合应用电工、电子、材料和计算机技术等多个学科的科技成果取得显著技术进步, 研发投入和产业规模迅速增长。本文结合流体物理研究所特种电源研究成果, 对特种电源近年来的研究进展作简要分析。
特种电源 基础技术 应用技术 发展趋势 special power supply fundamental techniques application techniques trend 
强激光与粒子束
2019, 31(4): 040001
作者单位
摘要
1 北京有色金属研究总院 先进电子材料研究所, 北京 100088
2 中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621900
采用熔融-快冷-可控结晶工艺, 制备了(Pb, Sr)Nb2O6-NaNbO3-SiO2大尺寸玻璃陶瓷, 开展了其介电性能以及脉冲充放电特性研究。实验结果表明: 该玻璃陶瓷材料的介电常数约为340, 具有良好的温度稳定性和正的偏压特性。基于该材料制备的固态脉冲形成线输出脉冲脉宽约为89 ns, 具有良好的脉冲平顶和窄的上升沿。在19 kV充放电电压、1 kHz的充放电频率、4 kA的放电电流条件下, 固态脉冲形成线充放电寿命大于100万次。
玻璃陶瓷 固态脉冲形成线 介电性能 充放电寿命 glass ceramic solid-state pulse forming line dielectric properties charge-discharge properties 
强激光与粒子束
2018, 30(2): 025008
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 流体物理研究所, 脉冲功率科学与技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1 Hz~1 kHz、充电电压4 kV、负载阻抗为1 kΩ条件下,可实现输出幅度大于20 kV、前沿小于10 ns且脉宽大于100 ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1 kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。
功率MOSFET 纳秒级前沿 半导体固态开关 全固态 Marx发生器 power MOSFET nanosecond rise time semiconductor solid-state switch all-solid-state Marx generator 
强激光与粒子束
2017, 29(4): 045002
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 流体物理研究所,脉冲功率科学与技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
基于超快速高压大功率半导体开关、脉冲形成电路以及同心等间距传输的关键技术,提出一种模块化多路同步快脉冲触发源技术方案.设计出在负载阻抗为50 Ω时,可同步输出两种快脉冲触发信号:一种幅度大于20 V(4路)、脉冲前沿小于820 ps、脉冲宽度大于100 ns;另一种则是幅度大于100 V(4路)、前沿小于1.4 ns、脉宽大于100 ns;在外触发作用下,触发源系统抖动和脉冲输出同步分散性分别达到2 ns 和36.6 ps.电路结构上充分利用等间距电信号传输的原理,实现了快脉冲触发源模块化的设计.通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了在外触发脉冲单次和重频(5 kHz)作用下该同步快脉冲触发源输出的实验结果.
模块化 高压雪崩管 同步 分散性 快脉冲信号 modularization H.V avalanche transistor synchronization dispersion fast pulse signal 
强激光与粒子束
2015, 27(7): 075006

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