作者单位
摘要
湛江师范学院 物理系,广东 湛江 524048
ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展。
氧化锌 离子注入 掺杂 ZnO ion implantation doping 
液晶与显示
2009, 24(3): 367

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