1 惠州学院电子信息与电气工程学院, 广东 惠州 516007
2 湖南大学物理与微电子科学学院, 湖南 长沙 410082
3 岭南师范学院物理科学与技术学院, 广东 湛江 524048
基于自由电子气体模型, 利用线性响应理论结合格林函数方法求解了单层原子体系的等离激元频率, 得出了可适用于高电子密度短波情形的等离激元色散关系的解析解。研究结果表明: 原子层的厚度会降低等离激元的频率, 原子层越厚, 等离激元频率越小, 这种变小在波矢越大时表现得越明显。当单层原子的厚度趋于零时, 其等离激元的色散关系趋近于纯二维等离激元的色散关系。此外, 在单层原子体系等离激元频率的一阶近似中, 发现长波近似下等离激元频率的相对修正与波矢以及原子层的厚度都呈线性关系。
光电子学 等离激元 线性响应理论 格林函数方法 单层原子体系 optoelectronics plasmon linear response theory Green function method monolayer-atom system
1 岭南师范学院物理科学与技术学院， 广东 湛江 524048
2 西安航空学院电子工程学院， 陕西 西安 710077
利用紧束缚模型和本征方程方法，研究了一维体系中等离激元的偶极和四极模式，以及外场、体系的尺寸和电子数对这两种模式的调控作用。结果表明，外场可控制等离激元的模式，反对称的电势场仅激发偶极模式，对称电势场仅激发四极模式；利用等离激元的尺寸效应，增加一维体系的长度可减小等离激元的频率，增大激发强度；利用等离激元的电荷累积效应，在电子数达到半满之前，增大一维体系中的电子数可增大等离激元的频率和激发强度，且由于电子和空穴激发的等价性，等离激元的激发强度随电子数变化的曲线关于半满电子数对称。在等离激元的尺寸效应方面，本征方程方法得到的结果可用无规相近似方法得到较好的拟合。
光电子学 等离激元 激发特性 本征方程方法 一维体系 激光与光电子学进展
2018, 55(7): 072501
ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展。
氧化锌 离子注入 掺杂 ZnO ion implantation doping
1 广东湛江师范学院信息科技学院物理系,湛江,524048
2 重庆大学数理学院物理系,重庆,400044
3 西南石油大学,成都,610500
本文采用基于广义梯度近似(GGA)的第一性原理方法,对锯齿型单壁碳纳米管(7,0)、(8,0)、(9,0)、(12,0)的能带结构和能隙进行理论计算.结果表明,各孤立管能隙值跟紧束缚(TB)近似所推出的结论有很大的出入,但跟实验观测结果比较接近.本文对引起这一差异的原因做了初步探讨.
能隙 第一性原理 锯齿型单壁碳纳米管 GGA 原子与分子物理学报
2006, 23(3): 432
