1 北京航空航天大学 宇航学院，北京 100191
2 空军指挥学院 战役系，北京 100097
为了获得高精度、高更新率的抗噪声性能，对星敏感器星像提取环节进行了研究。首先，分析星图中星像灰度的分布特点，建立了判断某个像素是否与峰值像素归属同一星像的标准。然后，介绍了像元阵列分块方法和背景预测法。最后，结合星像的特点提出了以峰值点为种子点的区域生长准则。仿真实验结果表明，在不加噪声的情况下，提取出的星像与参考星图完全一致，用质心法得到的亚像素定位精度为0.028 2。在添加均值为20、标准差高达2.5的强高斯灰度噪声的情况下，提取率仍能达到86.11%，质心精度则下降到0.219 6 pixel。均匀性很差，信噪比低于4.9 dB的实拍星图实验结果也证明该方法有很强的星像提取能力和准确性，能够满足强噪声弱星像质心提取的强抗干扰能力的要求。
星敏感器 质心提取 分块 区域生长法 高斯分布 星图处理 star sensor star image extracting blocking region growing Gaussian distribution star map preprocess 光学 精密工程
2012, 20(11): 2507
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
从经典的极化理论出发, 分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化, 从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品, 采用金属-绝缘体-半导体样品结构, 搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应, 系统的半波电压小于170 V, 从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号, 以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致, 也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
非线性光学 场致线性电光效应 场致光整流 克尔效应 横向电光调制 硅材料
1 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012
2 吉林建筑工程学院,吉林,长春,130021
首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量X(3)的分量X(3)xyxy.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为⊿n=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为⊿n'=2.42×10-16E2.50.
克尔效应 弗朗兹-凯尔迪什效应 电致双折射 三阶非线性极化率张量 偏振态
