通过溶胶-凝胶法制备了Er3+、Yb3+和Gd3+共掺杂的Y2O3、Lu2O3荧光粉, 并研究了其上转换发光和温度敏感特性。在980 nm激光激发下, 样品辐射出明亮的绿光、红光和弱的紫外光。并讨论了紫外区Er3+→Gd3+的能量传递。利用荧光强度比方法研究了基于Er3+的2H11/2和4S3/2两个热耦合能级在313～573 K范围内的光学温度传感特性, 当Gd3+离子掺杂浓度为10%时, 样品的灵敏度最大为0.005 91 K-1。

采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu2ZnSnSe4（简称CZTSe)薄膜, 分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响。研究表明: 当衬底温度较低时（380 ℃), CZTSe薄膜中含有SnSex使电池失效; 随着衬底温度的升高, CZTSe薄膜的结晶质量明显提升, 电池开路电压增加。但当衬底温度达到460 ℃时, 电池的转换效率反而下降; 结合CZTSe的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因。最终在衬底温度420 ℃的条件下制备出效率为3.12%（有效面积0.34 cm2)的CZTSe太阳电池。

采用水热法成功制备了Yb3+,Ho3+,Tm3+三掺的多晶KLa(MoO4)2荧光粉。在980 nm激光激发下, KLa(MoO4)2∶Yb3+,Ho3+,Tm3+发出裸眼可见的明亮白光, 这其中包括Tm3+离子发出的蓝光(～475 nm)、Ho3+离子发出的绿光(～540 nm)和红光(～651 nm)。根据色度坐标系计算得出的坐标点可以看出, 随着Ho3+/Tm3+掺杂浓度之比的增加, KLa(MoO4)2∶Yb3+,Ho3+,Tm3+所发出的白光呈现从冷白光到暖白光的变化。最后详细讨论了KLa(MoO4)2∶Yb3+,Ho3+,Tm3+荧光粉可能的发光机制。

使用硝酸-高氯酸湿法消解火焰原子吸收法测定大、 小鼠的血清、 粪便、 尿液和不同组织器官(心、 肾、 胃、 肝、 脾、 肠和肺)中Ca, Mg, K, Na, Cu, Fe等六种金属元素。 以硝酸与高氯酸的混合液(4∶1, φ)为消解液, 加热条件为120 ℃, 标准曲线相关系数为0.999 4～0.999 8, 相对标准偏差(RSD)在0.33%～4.52%(n=6)之间, 加样回收率均在97.7%～104.2%之间, 满足生物样品中各元素含量测定的要求。 本研究建立的动物样品中六种金属元素含量的测定方法具有操作简便快捷、 灵敏度高、 所需样品量少、 结果准确可靠等优点, 可广泛用于生物样品中多种金属元素的测定。

从经典的极化理论出发, 分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化, 从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品, 采用金属-绝缘体-半导体样品结构, 搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应, 系统的半波电压小于170 V, 从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号, 以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致, 也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。

首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量X(3)的分量X(3)xyxy.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为⊿n=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为⊿n'=2.42×10-16E2.50.

具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的作用,利用χ(2)eff=χ(3)·E这一关系和张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下,具体在方向分别沿[111]、[110]和[001]的电场作用下,得到的等效二阶极化率张量χ(2)eff分别与C3v、C2v和C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式,说明在物理性质方面,硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v和C4v群,因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质;提出了电场E沿任意方向时硅的等效二阶极化率张量χ(2)eff的计算方法,对研究硅材料和其他具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性质实验具有指导意义。