在过去30年中, 有机电致发光器件(Organic light-emitting devices, OLEDs)在显示和照明面板领域得到了快速的发展和应用。然而, 固有的低光取出效率使OLEDs常需要集成光取出微纳结构。另一方面, 有机半导体激光器(Organic semiconductor lasers, OSLs)由于具有发射光谱宽、制备简单、成本低和易于集成的优点也引起了广泛关注。同OLEDs需要集成微纳结构一样, 在OSLs中也需要制备微纳结构用作谐振腔从而产生光增益来实现激射。在不同的微纳结构制备工艺中, 纳米压印技术(Nanoimprint lithography, NIL)作为一种高分辨率、高产率和低成本的图案化技术, 被认为是最有前景的技术之一。NIL不仅可以打破衍射极限和光散射的限制, 而且可以保证有机光电材料的光学和电学性能不受损害。本文回顾了利用NIL在OLEDs制备结构化电极、结构化功能层和结构化封装层以及在OSLs中制备结构化染料掺杂聚合物以及结构化发光材料的方案。

在有机电致发光器件(OLEDs)中,由于存在多种光子束缚模式,其光提取效率很低。在有机太阳能电池(OPVs)中,有机材料的载流子迁移率较低,需要控制有源层厚度,导致光吸收不足,降低光电转换效率。利用金属等离子体微纳结构调控有机光电器件中的光场分布,是提高器件效率的有效方法之一。对基于金属等离子体微纳结构调控有机光电器件光场分布的最新研究进展进行总结,并详细讨论利用等离子体金属结构提高OLEDs的光提取效率和OPVs的光吸收效率的机理和方法。

制备了一种具有高导电性、高透过率以及良好的柔性和机械稳定性的还原石墨烯氧化物(RGO)-银纳米线(AgNW)复合电极。将低浓度的AgNW旋涂在制备的RGO薄膜上, 使AgNW搭接在RGO的晶界、褶皱处, 提高了RGO薄膜的载流子迁移能力。在保证透过率的前提下, 提高复合薄膜的导电性能。结合薄膜转写工艺, 制备了电阻为420 Ω/□且透过率达62%的RGO-AgNW柔性复合电极。该复合电极具有良好的柔性以及机械稳定性, 随着弯折次数的增加, 电阻没有明显变化。