1 电子工程研究所, 西安 710100
2 西安交通大学 电气工程学院, 西安 710049
对半导体开关在这种超限条件下的单次使用情况进行了研究,尤其对级联状态多次试验。试验结果显示,额定电流为30 mA的半导体开关可以实现单次放电电流达到10 kA的稳定放电。通过对放电过程进行分析发现,开关从导通至最终损坏经过了一个比较复杂的物理过程,电路拓扑结构及其开关安装位置都将会对输出性能产生影响。
脉冲驱动 半导体开关 双极性晶体管 电流超限 PN结 pulse drive semiconductor switch bipolar junction transistor overrunning current PN junction 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045037
