作者单位
摘要
1 西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
2 中国科学院 西安光学精密机械研究所 中国科学院超快诊断技术重点实验室, 陕西 西安 710119
基于单光子探测的距离选通成像系统中,需发射短脉冲激光并进行发射器和接收器之间的同步控制,使探测器工作在光子计数模式并在时间上进行积分,以完成成像操作。为了获得满足系统要求的短脉冲激光,同时减小系统体积、降低系统成本,本文提出将基于射频双极晶体管和基于阶跃恢复二极管SRD(结合短路传输线)两种产生窄脉冲电路应用于单光子距离选通成像系统。介绍了二者的原理与设计方法,进行了仿真验证、实物制作及测试,对脉冲发生器的特点、影响脉宽幅值的因素进行了分析。实物测试结果表明,基于晶体管方式可以产生上升时间为903.5 ps、下降时间为946.1 ps、脉冲宽度为824 ps、幅度为2.46 V的窄脉冲。基于SRD方式可以产生上升时间为456.8 ps、下降时间为458.3 ps、脉冲宽度为1.5 ns、幅度为2.38 V的窄脉冲,二者重复频率皆可达到50 MHz。利用这两种设计方法的任何一种配合外部电流驱动激光二极管都能够获得性能优良的短脉冲激光输出。
距离选通成像 双极性晶体管 阶跃恢复二极管(SRD) 短脉冲激光 range-gated imaging bipolar transistor step recovery diode short pulse laser 
中国光学
2023, 16(3): 567
作者单位
摘要
1 电子工程研究所, 西安 710100
2 西安交通大学 电气工程学院, 西安 710049
对半导体开关在这种超限条件下的单次使用情况进行了研究,尤其对级联状态多次试验。试验结果显示,额定电流为30 mA的半导体开关可以实现单次放电电流达到10 kA的稳定放电。通过对放电过程进行分析发现,开关从导通至最终损坏经过了一个比较复杂的物理过程,电路拓扑结构及其开关安装位置都将会对输出性能产生影响。
脉冲驱动 半导体开关 双极性晶体管 电流超限 PN结 pulse drive semiconductor switch bipolar junction transistor overrunning current PN junction 
强激光与粒子束
2014, 26(4): 045037
作者单位
摘要
1 清华大学,电机工程与应用电子技术系,气体放电与等离子体实验室,北京,100084
2 中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900
介绍了自行研制的一台100kV/2A三相恒流重复频率充电装置,其恒流电源采用三相L-C变换器,6只绝缘栅双极性晶体管并联作为短路器件控制充电停止,可编程序控制器是控制单元的核心.该装置用于重复频率开关实验,充电电流2A,最高充电电压100kV,重复频率10Hz,充电电容1μF,以脉冲串的方式连续运行,工作稳定.
重复频率 三相L-C变换器 绝缘栅双极性晶体管(IGBT) 可编程序控制器(PLC) repetitiverate three phase L C converter insulated gate bipolar transistor(IGBT) programmable logical controller(PLC) 
强激光与粒子束
2002, 14(5): 762

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