以巴条叠阵结构及封装方法为基础, 研制了一组高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵, 并研究了其相关的光电性能和寿命特征。结果表明, 所研制的器件在200 A的工作电流下, 重复频率250 Hz、脉宽200 μs时, 单巴峰值功率＞200 W, 50%光谱宽度＜3 nm, 电光转换效率＞50%, 寿命达到4.71×109 shots时的功率衰减＜15%; 当工作电流为150 A时, 预期寿命高达1.5×1010 shots。

为了获得应用于AlGaAs 激光器上的优异的氮化硅薄膜，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)低温条件下在GaAs 衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜，利用光学膜厚仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等技术对薄膜残余应力、表面形貌、折射率等进行了分析。结果表明，薄膜的残余应力随沉积功率的增加而变大；随气压先降低后变大，在200 Pa 时仅为6 MPa。薄膜的表面粗糙度随功率的提高而变大；随气压的提高而减小。功率和气压对薄膜的折射率影响不大，均在2.0~2.2 之间。薄膜中氢的存在形式为N-H 键。选择合适的功率和气压，可以在低温下获得极低应力和优异表面形貌的氮化硅薄膜。

半导体激光器由于其光电转换效率高、亮度高、寿命长等特点，是用于抽运固体激光器的最佳选择。作为抽运源，要求半导体激光器具有很好的光学性能，主要包括出射光束的发散角和指向性。半导体激光器的发散角很大，要对其进行光束压缩整形并控制光束的指向性是一项很难的技术，对于多个半导体激光器组成的叠阵要保证其每一个巴条的光学性能良好更是不容易做到。从研究半导体激光器光束质量的控制着手，制作出一个带快轴准直的60个巴条的激光器叠阵，其峰值功率高达18 kW，叠阵整体快轴发散角小于0.2°(3.5 mrad)，每个巴条的指向性在±0.15°(±2.6 mrad)以内。