脉冲电晕放电过程中OH自由基等活性基团的空间分布特性对燃煤烟气污染物的氧化脱除具有重要作用。为了探索脉冲电晕放电污染物控制技术的机理, 采用激光诱导荧光法检测线板式反应器内部脉冲电晕放电过程中OH自由基的空间二维分布特性, 主要研究了不同相对湿度和含氧量对OH自由基空间二维分布特性的影响。实验表明, 脉冲电晕放电过程中OH自由基主要存在于线电极下方的区域中, 并以线电极为中心面向板电极呈现扇形分布, 并且其扇形分布区域的纵向长度和横向宽度的最大值均小于1 cm; 相对湿度的增大有利于OH自由基的生成, 促进OH自由基空间二维分布区域面积的扩大, 当相对湿度为65%时OH自由基的空间二维分布区域面积达到最大值; 当含氧量为2%时最有利于OH自由基的生成, 并且OH自由基的空间二维分布区域面积达到最大值, 当含氧量超过15%时对OH自由基的生成及其空间二维分布主要起抑制作用。同时, 相对湿度和含氧量的增加均提高了激发态OH自由基中猝灭部分所占的比重, 从而降低了OH自由基的荧光产率, 其中含氧量对OH自由基荧光产率和OH自由基空间二维分布的影响作用大于相对湿度。

采用发射光谱法测量了线板式脉冲电晕放电中激发态氮气分子N*2和离子N+2的光谱强度, 并与数值计算获得的结果进行对比, 确定放电电场的空间分布及平均电子能量。 水平与竖直方向离开线电极0～2 cm, 随着距离的增加, 平均电子能量和电场均呈先减后增的变化趋势; 放电电场变化范围11.05~19.6 MV·m-1, 对应的平均电子能量的变化范围10.10~13.92 eV。 这一能量水平的电子足以与O2, H2O分子碰撞产生O, OH自由基, 并进一步反应生成O3。 在NO氧化过程中, NO可与OH自由基共存, 但不能与O3共存; 且O3或O氧化NO的效率高于OH自由基, 推断O3或O在NO的氧化过程中起关键作用。

流光在OH自由基的生成过程中起到重要作用。 为了研究流光与OH自由基之间的关系， 利用ICCD拍摄了线板式脉冲电晕放电反应器内流光的形成和发展过程， 着重研究了在反应器几何结构固定的情况下， 输入峰值电压对流光发展速度和流光在阴极板覆盖范围的影响。 实验表明在反应器不击穿的情况下， 输入峰值电压越大， 越有利于流光的发展， 因此生成的高能电子数量越多。 此外我们还利用发射光谱法测量了脉冲电晕放电反应器内OH自由基的二维分布特性， 并且与流光发展轨迹图对比。 OH自由基在放电电场中的分布特性是以电极线为中心向四周扩散， 浓度逐渐降低。 这个结论和流光在脉冲电晕放电反应器内的发展轨迹图相吻合。

以发射光谱法为基础， 检测了常压状态线-板式脉冲电晕放电过程OH自由基在反应器内的空间分布； 研究了线电极直径， 线线间距以及线板间距对生成OH自由基的影响； 从而明确脉冲电晕放电反应器的性能。 结果显示： OH自由基浓度沿线电极X轴方向逐渐降低， 活化区域半径20 mm左右， 沿Y轴方向先升高后降低， 活化区域半径大于30 mm； 线电极的直径小于2 mm时， OH自由基的光谱强度基本不变， 线电极直径继续增大， 发射光谱强度随之迅速下降。 线线间距逐渐增大， OH自由基的发射光谱强度随之增强。 OH自由基的发射光谱强度随着线板间距的增大而降低。

文章提出一种基于IEEE 802.3ah的以太网无源光网络(EPON)用户端专用芯片设计方案, 融合现场可编程门阵列(FPGA)与IP软核技术实现了光网络单元(ONU)的功能。文中阐述了专用芯片的硬件结构, 给出了IP软核设计的整体思路; 介绍了专用芯片的测试方法, 并从多角度对测试结果进行了论证。结果表明, 芯片完全能够满足实际使用要求。

为了使CO₂激光器在工业加工及**上有更广泛的应用,采用铝合金拉制型材作为激光器壳体、盘装电感代替传统线绕电感的结构以及全金属封接工艺等,研制出一种紧凑型长寿命射频激励波导CO₂激光器。可连续输出或在不高于20kHz调制频率下脉冲输出,最大输出功率30W,实测工作寿命超过1500h,存储寿命超过1.5a。结果表明,这种激光器具有结构紧凑、输出功率稳定、工作寿命长、可连续及脉冲调制工作等特点,除了能满足各种材料的加工,也可在**上应用。

提出了一种结合空域和小波域的综合水印算法，并对此算法进行了性能分析.结果表明，在不降低水印算法鲁棒性的前提下，极大地提高了水印信息的安全性，在工业和商业等领域有一定的应用价值.