张晓健 1潘丽 1曾颖 1张洲 1[ ... ]张鹏 1,*
作者单位
摘要
1 重庆师范大学物理与电子工程学院, 重庆 401331
2 中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北 石家庄 050051
3 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
在光泵浦外腔面发射激光器中,分别用Cr 4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜SESAM作为可饱和吸收介质,获得了稳定的调Q脉冲输出。使用Cr 4+∶YAG晶体时,调Q脉冲的宽度为10 μs,脉冲重复频率为26.3 kHz。在相同的脉冲重复频率下,用半导体可饱和吸收镜所获得的调Q脉冲宽度为8 μs。基于外腔面发射激光器中增益芯片的量子结构,以及Cr 4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜各自的时间特性,分析讨论了两种不同的可饱和吸收介质作用下,外腔面发射激光器中调Q脉冲的形成过程,初步清晰了外腔面发射激光器这一特殊种类的激光器中与调Q过程相关的物理图像。
激光器 调Q 外腔面发射激光器 可饱和吸收 Cr 4+∶YAG晶体; 半导体可饱和吸收镜 
中国激光
2021, 48(7): 0701003
作者单位
摘要
中国科学院光电技术研究所 微细加工光学技术国家重点实验室,四川 成都 610209
提出了基于微细加工的移动掩模光刻(MML)法制作四棱锥反射镜的方法。通过移动掩模光刻,在光刻胶上得到棱锥结构,然后将其线性传递到硅基底上,进行金属化处理以提高反射率。棱锥结构的底面尺寸为1 mm×1 mm,四个反射面与底面成3.7°的倾角。尖端和棱边的尺寸被控制在6 μm左右,呈现出非常好的刀口状,镜面粗糙度的均方根误差(RMS)为77 nm,均满足红外波段的波前传感系统的要求。
光学器件 四棱锥反射镜 反射式棱锥波前传感器 移动掩模光刻 
中国激光
2009, 36(s2): 35
作者单位
摘要
中国科学院 光电技术研究所 微细加工光学技术国家重点实验室,四川 成都 610209
介绍了利用纳米缝隙结构激发表面等离体子,进行光学相位调制从而形成亚波长结构构成的奇异材料,分析并总结了亚波长结构材料的特性,在此基础上,回顾了该类材料在纳光子器件中的应用。
材料 人工结构材料 微纳光学 表面等离体子 
激光与光电子学进展
2009, 46(10): 41
作者单位
摘要
核工业西南物理研究院,四川,成都,610041
介绍用于HL-2A 偏滤器托卡马克装置的远红外(FIR)激光干涉仪及其在等离子体电子密度测量中的应用.一种新的软件比较相位技术被用来计算相移.自恰式光路设计方法用于内壁挂镜光路的设计.防污染装置延长了真空室中反射镜的使用寿命.电子密度测量结果表明偏滤器位形的等离子体放电减小了等离子体与第一壁的相互作用,等离子体密度比孔栏放电位形的略为偏低.
电子密度 反射式干涉仪 相移软件比较 偏滤器 electron density reflecting interferometer phase shift software compare diverter 
红外与毫米波学报
2005, 24(4): 265
作者单位
摘要
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点开放实验室,四川,成都,610209
在分析微透镜列阵光聚能原理的基础上,针对背照式256(290铂硅红外焦平面探测器列阵的结构参数,设计了衍射微透镜列阵,使入射光通过硅基底聚焦至探测器的各个光敏面上, 提高光能利用率从而增强探测能力.实验获得了微透镜列阵与红外焦平面集成芯片,并在热成像中取得了良好的结果.
微透镜列阵 红外焦平面探测器 集成芯片 热成像 
光电工程
2003, 30(1): 1
作者单位
摘要
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209
利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀技术,在石英上刻蚀深连续面形微光学元件.分析了影响深刻蚀工艺的烘焙条件、气体组分、自偏压和刻蚀温度等主要工艺参数,并对影响深刻蚀稳定性、均匀性、刻蚀污染与损伤等因素进行了探讨.通过实验,在石英上制作出深达55微米的浮雕微柱透镜,其面形峰值误差小于3%.
微光学元件 深刻蚀 等离子刻蚀 连续面形 
光电工程
2003, 30(3): 13
作者单位
摘要
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209
在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法--基底曝光法.在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面.该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列.
微透镜 浮雕深度 光刻 曝光阈值 微光学元件 
光电工程
2003, 30(4): 1

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