中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209
在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法--基底曝光法.在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面.该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列.
微透镜 浮雕深度 光刻 曝光阈值 微光学元件
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点开放实验室,四川,成都,610209
在分析微透镜列阵光聚能原理的基础上,针对背照式256(290铂硅红外焦平面探测器列阵的结构参数,设计了衍射微透镜列阵,使入射光通过硅基底聚焦至探测器的各个光敏面上, 提高光能利用率从而增强探测能力.实验获得了微透镜列阵与红外焦平面集成芯片,并在热成像中取得了良好的结果.
微透镜列阵 红外焦平面探测器 集成芯片 热成像
1 中国科学院光电所微细加工光学技术国家重点实验室,成都 610209
2 四川大学信息光学研究中心,成都 610064
介绍了连续微光学元件在光刻胶上的面形控制方法。分析了光刻胶及显影液在制作二元和连续元件中所存在的差别;导出具有倒易关系的浮雕深度表达式和适用的范围,并以此指导面形的控制,对光刻胶进行适当的改造以适应连续微光学元件的制作。本文还给出了实验验证,制作出了多种质量优良的连续微光学元件,并对典型元件的面形进行了评价。
连续微光学元件 光刻胶线性 倒易关系 面形控制。
