中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点开放实验室,四川,成都,610209
在分析微透镜列阵光聚能原理的基础上,针对背照式256(290铂硅红外焦平面探测器列阵的结构参数,设计了衍射微透镜列阵,使入射光通过硅基底聚焦至探测器的各个光敏面上, 提高光能利用率从而增强探测能力.实验获得了微透镜列阵与红外焦平面集成芯片,并在热成像中取得了良好的结果.
微透镜列阵 红外焦平面探测器 集成芯片 热成像
1 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室, 成都 610209
2 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
研究用微光学方法提高红外探测器探测能力的机理,通过实验将锗微透镜列阵耦合到180元HgCdTe焦平面红外探测器上,使耦合组件探测率提高到原来的2.8倍。提出的光学耦合效率概念为客观评价微光学聚能元件综合质量及耦合机构性能提供了一种新的方法。还对微透镜列阵的冷屏效应进行了讨论。
微透镜列阵 红外焦平面探测器 探测率 冷屏效应
中国科学院光电技术研究所, 微细加工光学技术国家重点实验室, 成都 610209
衍射光学元件(DOE)表面形貌的测量需要解决因表面结构深度较大和表面不连续给测量带来的困难。 本文将双波长测量法的思想推广应用到不连续深结构表面的测量, 并提出了一种新型数据处理方法, 有效地克服了这些困难。 理论分析和测量结果表明, 基于这些方法的三维表面形貌测量系统纵向分辨率为0.5 nm, 横向分辨率约为0.5 μm(NA=0.4), 在整个纵向测量范围内重复测量精度优于1.3 nm, 满足了衍射光学元件表面形貌测量的需要。
衍射光学元件 三维表面形貌 干涉显微镜 相移干涉
1 中国科学院光电所微细加工光学技术国家重点实验室,成都 610209
2 四川大学信息光学研究中心,成都 610064
介绍了连续微光学元件在光刻胶上的面形控制方法。分析了光刻胶及显影液在制作二元和连续元件中所存在的差别;导出具有倒易关系的浮雕深度表达式和适用的范围,并以此指导面形的控制,对光刻胶进行适当的改造以适应连续微光学元件的制作。本文还给出了实验验证,制作出了多种质量优良的连续微光学元件,并对典型元件的面形进行了评价。
连续微光学元件 光刻胶线性 倒易关系 面形控制。
