作者单位
摘要
中国科学院上海光机所激光技术开放实验室, 上海 201800
本文报道了室温下镁橄榄石可调谐激光的实验结果。采用调Q Nd:YAG脉冲激光作为泵浦源,可调谐波长范围为1.167 μm到1.332 μm。输出能量为11.5 mJ,转换效率为16%。倍频后,获得从0.584 μm到0.666 μm的倍频激光输出。
Cr:Mg2SiO4晶体 可调谐激光器 
中国激光
1993, 20(6): 406
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所, 201800
中国激光
1992, 19(2): 160
作者单位
摘要
1 同济大学测试中心, 上海 200092
2 华东师范大学物理系, 上海 200062
3 上海软件开发中心,
4 中国科学院上海光机所, 上海 201800
本文采用自旋极化MS-Xα方法计算了Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的电子结构,给出了Td群和C(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。
Mg2SiO4晶体 电子结构 
中国激光
1991, 18(11): 832
作者单位
摘要
1 华东师范大学物理系, 上海 200062
2 中国科学院上海光机所, 上海 201800
3 上海计算机软件中心
本文用LIF方法研究了铬镁橄榄石(Cr∶Mg2SiO4)的室温电子辐射谱。该辐射谱有两个辐射带(S带和L带),其中S带来自Cr3+离子的辐射,而L带则对应于Cr4+的辐射。
掺铬镁橄榄石LIF谱 Cr4+离子 
中国激光
1991, 18(8): 599
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所, 上海 201800
介绍了用提拉法生长的Mg2SiO4:Cr3+单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800~1400nm,吸收谱中有一定的Fe3+吸收。
提拉法 
中国激光
1990, 17(6): 365
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所
发现并证实BHA:Cr3+晶体中的红色析晶物是创Al2O3:Cr3+从相图出发解释了红色析晶物的产生原因和用BeO过量有效地抑制该种析晶物的出现的机制.根据此机制拟定的措施,已生长出无红色夹杂物的晶体.
BHA:Cr3+晶体 析晶物 
中国激光
1989, 16(7): 430
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所
本文报告了首次生长出较大尺寸的BHA:Cr3+(BeO.3Al2O3:Cr3+)晶体,介绍了该种晶体生长的工艺条件,指出配料组份是晶体生长的关键因素,并初步测定了部分晶体结构.
BHA:Cr3+晶体 晶体生长 
中国激光
1989, 16(7): 428
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所
本文对新晶体BHA:Cr3+(BeO·3Al2O3:Cr3+)的荧光谱进行了仔细辨认,发现晶体中存在着几种不同的发光中心。提出了不同Cr离子中心之间的能量传递模型。
中国激光
1988, 15(9): 528
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所
首次长出了掺铬六铝酸铍晶体(BHA:Cr3+,测定了BHA:Cr3+晶体的吸收谱与荧光谱,荧光电子振动边带谱为700nm到1000nm.
中国激光
1988, 15(7): 403
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所
中国激光
1988, 15(4): 250

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