利用碳热还原法制备了LaSi3N5∶Ce3+蓝色荧光粉, 重点研究了原料中掺C量和退火对样品纯度及发光性能的影响。 通过X射线衍射仪和荧光光谱仪分别表征样品的晶体结构和发光性能。 研究结果表明: 1 600 ℃时能够合成主相为LaSi3N5∶Ce3+的荧光粉。 在360 nm紫外光激发下样品可获得波段范围在380~600 nm的单峰宽带发射谱, 归结于Ce3+的5d-4f的能级跃迁。 当nC/nLa=4/1时样品发光强度达到最大, 并且光谱出现先红移后蓝移的现象。 经过退火的样品的发光强度与退火前相比提高了60%~345%。 将热处理后的nC/nLa=4/1的样品与商用YAG混合涂覆在UV芯片上(λem=365nm)封装成WLED, 证实了LaSi3N5∶Ce3+在白光LED领域潜在的应用价值。

采用CaCO3, MgO, SiO2, Eu2O3原料, 通过高温固相法制备了Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉。 通过XRD图谱和PL光谱图, 研究了Eu的掺杂浓度与助溶剂(NH4Cl, BaF2)对Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉结构、 发光性能和热稳定的影响。 XRD图谱对比结果表明, 制备的Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉XRD图与理论计算得到的图谱几乎一致。 Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉在360～450 nm有很强的激发强度, 并且在440 nm激发下发射峰值波长为530 nm的发射光。 随着Eu2+离子浓度的增加, 发射光谱出现了红移, 且在Eu2+离子浓度约为6%时发生了浓度猝灭现象。 当添加NH4Cl和BaF2作为助溶剂, Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉的发光强度有一定提高。 与未添加助溶剂的Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉的发光强度相比, 添加NH4Cl助溶剂后发光强度增加了70%。 此外, 当温度升高至150 ℃时, Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉和商用绿色荧光粉的发光强度分别降低了7.6%和14%, 表明Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉具有良好的热稳定性。 这些发光性能均表明Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉是是一种可应用于固态照明的有前景的绿色荧光粉。

采用基于高温固相的两步合成法, 以BaSiO3为前驱体制备了Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉, 主要研究了不同Eu2+掺杂浓度对Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉发光性能的影响机理, 并与传统高温固相法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉的发光机理进行了对比分析。 结果表明: 与传统高温固相法相比, 两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉具有更高的纯度和结晶度。 Eu2+掺杂浓度大于9%时, 两步法和传统高温固相法制备的样品都发生浓度猝灭现象。 传统高温固相法与两步法制备Ba3Si6O9N4: Eu2+荧光粉的浓度猝灭机理一致, 均是由于电偶极-电偶极相互作用造成的。 在330 nm的激发光下, 两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉的发射光谱（峰值489 nm）与传统的高温固相法（峰值512 nm）相比, 出现了蓝移的现象, 更加接近于理论发射光谱中心（480　nm）。 能谱分析结果显示, 两步法制备的荧光粉的元素组分更接近理论值, 能有效降低晶格缺陷。 两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉样品具有更好的热稳定性, 更利于白光LED的应用。