提出并实现了一种针对音频信号Σ-Δ模数转换器的超低功耗和低资源占用的数字抽取滤波器。该滤波器采用多级级联结构,由级联积分梳状滤波器、极简结构补偿器和全通多相型IIR滤波器组成,相较于传统FIR滤波器级联方案,能够以极低的阶数和硬件复杂度实现高倍抽取、极小的通带波纹和高水平的阻带衰减,同时具有近似线性相位特性。整体有效带宽为20 kHz,共完成128倍抽取。采用0.18 μm CMOS工艺完成ASIC设计,数字版图面积为0.37 mm2,功耗为125 μW,信噪比达到98.79 dB,有效位数为16 bit。与传统FIR结构抽取滤波器相比, 面积减小了60%, 功耗降低了20%。

高铜合金(也称高强高导铜合金)同时具有高导热导电性和高强度，其复杂零件在航天航空、石油化工、**装备及海洋舰艇等领域的应用十分广泛。由于对激光吸收率极低、热导率极高，激光选区熔化(Selective Laser Melting, SLM)成形高铜合金的研究才起步。利用2000 W高功率光纤激光器作为光源，成形了QCr0.8高铜合金，研究了工艺参数对其致密化行为的影响，获得了致密的优化工艺参数，在此基础上，研究了其组织和性能。研究结果表明：当工艺参数不当时，SLM成形QCr0.8高铜合金会产生圆气孔和不规则的未熔合孔洞，前者出现在输入激光能量过高、出现深熔模式熔道时，后者出现在输入激光能量不足、扫描间距太小及搭接率太大时。优化的工艺参数为：激光功率2000 W，扫描速度600 mm/s，扫描间距0.20 mm，铺粉层厚0.05 mm。采用优化的工艺参数成形的高铜合金的致密度可以达到99.9%。其XOZ面的微观组织是沿成形方向生长的柱状晶，XOY面的微观组织可以分为细晶区与粗晶区，采用扫描电镜(SEM)可以观察到细小的胞状晶组织。沉积态时抗拉强度为234.7 MPa，屈服强度为173.9 MPa，延伸率为26.0%，导电率为国际退火铜标准(IACS)的37.8%；经过时效热处理后，抗拉强度为468.0 MPa，屈服强度为377.3 MPa，延伸率为19.2%，导电率为IACS的98.3%。研究成果为复杂高铜合金零件的制备提供了新方法。

采用激光选区熔化(SLM)技术成形S-130马氏体时效不锈钢，研究了热处理前后S-130试样的物相、显微组织以及力学性能，并对比分析了五步热处理和三步热处理工艺对组织和性能的影响。结果表明：SLM成形S-130试样主要由大量马氏体和少量残余奥氏体组成，显微组织呈胞状枝晶结构，透射电子显微镜(TEM)观察到大量含有高密度位错的板条马氏体。经过两种热处理后，逆转变奥氏体的形成使得奥氏体的含量增加，大量的纳米级析出物在板条马氏体上弥散分布，同时残余/逆转变奥氏体在马氏体板条间析出。SLM沉积态试样经过两种热处理后显微硬度和拉伸强度得到明显提升，且延伸率没有降低。相较于五步热处理，三步热处理后的试样具有更高含量的奥氏体以及更细小的板条马氏体和析出物，且在保证延伸率的情况下具有更高的显微硬度和拉伸强度。SLM成形S-130马氏体时效不锈钢优化的热处理制度为三步热处理(固溶＋冷处理＋时效)。

中国散裂中子源(CSNS)一期工程现处于调束运行阶段，未来二期工程考虑采用π模加速器将直线段能量从80 MeV升级到300 MeV，对该加速器进行了预研究。利用2D程序SUPERFISH设计出了π模加速器的单元尺寸，其中工作频率为324 MHz，β为0.4。通过3D程序CST优化了耦合系数、耦合孔的个数以及耦合孔的形状。耦合系数的设计值定为6.53%。利用尾部调谐环和7个固定调谐器将电场平整度调至2.18%，满足运行要求。

功率耦合器是中国散裂中子源(CSNS)漂移管直线段(DTL)的关键部件之一,其耦合系数通常通过调节耦合孔尺寸得到, 为了确保耦合系数达到设计值, 制造了一个冷模进行耦合度的调节。在冷模测量过程中, 发现了仅通过改变耦合孔尺寸耦合系数达不到目标值的问题, 因此提出了一种与测量结果对比有良好仿真精度的新模型用于分析, 并使用该仿真模型分析了PEFP使用的理论及影响耦合度的主要参数。最终耦合度被调节至目标值, 正式件的冷测结果也表明其与仿真结果基本相同。

微光像增强器是微光夜视技术的核心器件, 决定了整机的视距、清晰度、使用寿命等关键性能。详细分析了光纤面板、倒像器、纤维光锥、微通道板等微光像增强器核心材料的原理、特性及发展趋势, 展望了微光夜视技术的发展方向。

森林防火监测与告警手段多样,无人机平台具有运行费用少、操作简便、机动灵活等特点,在巡护监测林火中前景广阔。提出了一种基于红外探测器 对森林起火点进行探测和告警,采用低成本四旋翼无人机为巡检平台,北斗接收模块对无人机定位的森林防火告警系统。通过理论计算和实际举例验证了 此方案的实用性。结果表明本系统能够快速、准确地对起火点进行定位,无需人员实时监视,为森林火灾预防及火灾的快速扑救指挥提供了一种解决方案。

采用多元醇法, 在不同温度, 不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。 利用XRD, UV-Vis, SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。 UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。 而且表示银纳米线侧向生长的紫外吸收光谱峰在银纳米线合成后期发生了明显的红移, 由384 nm红移至约388 nm处, 表明银纳米线合成后期直径迅速增长, 银纳米线发生了快速的侧向生长。 SEM研究表明银纳米线直径在反应前期(15～23　min)只增加了20 nm, 而在反应后期(23～30 min)银纳米线直径增加了近150 nm, SEM观察结果与UV-Vis分析结论一致。 同时还发现银纳米线直径不仅与晶种大小有关而且与银线外覆盖的银层厚度有关, 银源以吸附在银线侧面的小银颗粒为附着点沿其侧面多点沉积导致了银纳米线的侧向生长; 降低反应液温度(165 ℃降至155 ℃), 降低PVP滴加速度(67 mL·h-1减小到49 mL·h-1)以及减少银纳米线合成后期PVP加入量可抑制银纳米线的侧向生长, 显著提高银纳米线长径比, 银纳米线直径由200 nm减小至100 nm左右, 长度仍保持在100 μm以上。