江南大学 物联网工程学院，江苏 无锡 214122
自驱动光电探测器能够满足现代光电器件对节能和轻质的需求，但复杂的工艺和较高的成本限制了其进一步发展。本文采用旋涂法将硒微米管（Se‐MT）和聚噻吩（PEDOT）制备成Se‐MT/PEDOT异质结，其器件在350~700 nm波长下具有良好的光响应，无偏置电压下的响应度为8 mA/W（500 nm）。为了提高器件的光响应度，利用银纳米线（Ag‐NW）修饰异质结制备Se‐MT/PEDOT/Ag-NW，增强异质结在紫外‐可见光区的光吸收并提高器件的光电性能。与Se‐MT/PEDOT器件对比，Se‐MT/PEDOT/Ag‐NW器件在350~700 nm波长下的光电流数值整体上升，特别是在0 V偏压500 nm光照下，器件的响应度提升至65 mA/W（增强800%），开关比增强400%达到552，上升和下降时间明显下降至15 ms和28 ms。这一结果表明Ag‐NW改性有机/无机异质结的方法可以应用于高性能光电探测器的制备。
异质结 银纳米线 自驱动 光电探测器 heterojunctions Ag nanowires self-powered photodetector
1 中南大学物理与电子学院, 湖南 长沙 410083
2 新鼎盛电子科技有限公司, 湖南 城步 422500
采用多元醇法, 在不同温度, 不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。 利用XRD, UV-Vis, SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。 UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。 而且表示银纳米线侧向生长的紫外吸收光谱峰在银纳米线合成后期发生了明显的红移, 由384 nm红移至约388 nm处, 表明银纳米线合成后期直径迅速增长, 银纳米线发生了快速的侧向生长。 SEM研究表明银纳米线直径在反应前期(15～23 min)只增加了20 nm, 而在反应后期(23～30 min)银纳米线直径增加了近150 nm, SEM观察结果与UV-Vis分析结论一致。 同时还发现银纳米线直径不仅与晶种大小有关而且与银线外覆盖的银层厚度有关, 银源以吸附在银线侧面的小银颗粒为附着点沿其侧面多点沉积导致了银纳米线的侧向生长; 降低反应液温度(165 ℃降至155 ℃), 降低PVP滴加速度(67 mL·h-1减小到49 mL·h-1)以及减少银纳米线合成后期PVP加入量可抑制银纳米线的侧向生长, 显著提高银纳米线长径比, 银纳米线直径由200 nm减小至100 nm左右, 长度仍保持在100 μm以上。
多元醇法 银纳米线 侧向生长 抑制 Polyol method Ag nanowires Lateral growth Inhibition 光谱学与光谱分析
2016, 36(6): 1656
1 浙江工业大学之江学院 理学系, 浙江 杭州310024
2 浙江大学物理系 硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州310027
利用化学合成方法制备了Ag纳米线和ZnO量子点。对这两种纳米结构的表面形貌、晶体结构和光学性质分别进行了研究。结果表明: Ag纳米线和ZnO量子点均为单晶结构, 平均直径分别为160 nm和5 nm左右。将Ag纳米线混入ZnO量子点可以使其紫外荧光显著增强, 其中位于345 nm和383 nm 的荧光分别增强30倍和12倍。这与Ag纳米线和ZnO量子点混合体系的局域表面等离子体共振耦合吸收峰位相一致, 说明该体系存在两种共振耦合模式。该研究结果为将来开发ZnO基纳米发光器件提供了一条新的途径。
ZnO量子点 Ag纳米线 局域表面等离子体 ZnO quantum dots Ag nanowires localized surface plasmon
制备出有序、 均匀的活性衬底一直是表面增强拉曼散射(SERS)研究中的关键。 阳极氧化法制备的多孔氧化铝膜的结构有序、 均匀, 为纳米金属SERS基底的制备提供了模板。 以沉积了银的多孔氧化铝组装体为衬底, 研究了罗丹明6G(Rh6G)分子的表面增强拉曼散射光谱。 结果表明, 沉积了银的多孔氧化铝模板是很好的SERS衬底, Rh6G分子在此衬底上的SERS谱强度与银纳米线在表面的显露高度有关, 而其拉曼频移未受表面状态的影响, 而PO3－4离子的存在使SERS强度得到很大提高
多孔氧化铝 银纳米线阵列 表面增强拉曼散射光谱 罗丹明6G Porous alumina Arrays of Ag nanowires SERS Rh6G 光谱学与光谱分析
2010, 30(9): 2401
