作者单位
摘要
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院,北京 100039
3 清华大学 工程物理系,北京 100084
为了使半导体激光泵浦Nd∶YVO4固体激光器能获得大功率、高光束质量、线偏振的激光输出,利用PICS3D软件设计了InGaAs/GaAs应变量子阱结构,制作了发射波长为880 nm的大功率半导体激光器列阵。该激光器列阵激射区单元宽为100 μm,周期为200 μm,填充因子为50%,激光器列阵CS封装模块室温连续输出功率达60.8 W,光谱半高全宽(FWHM)为2.4 nm。为进一步改善大功率半导体激光器列阵的光束质量,增加半导体激光端面泵浦功率密度,采用阶梯反射镜组对880 nm大功率半导体激光器列阵进行了光束整形,利用阶梯镜金属表面反射率受近红外波长变化影响小的特点,研制出高稳定性、大功率光纤耦合模块。模块输出功率为44.9 W,光-光耦合效率达73.8%,尾纤芯径Φ为400 μm,数值孔径(NA)为0.22。
880 nm半导体激光器列阵 光纤耦合 阶梯镜 880 nm laser diode arrays fiber coupling step-mirror 
光学 精密工程
2010, 18(5): 1021
胡黎明 1,2,*李再金 1,2秦莉 1杨晔 1,2[ ... ]王立军 1
作者单位
摘要
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态开放实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院,北京 100049
3 清华大学 工程物理系,北京 100084
针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条件对有源区温度的影响,并通过实验手段研究了不同工作条件下,大功率半导体激光阵列的输出特性的变化情况。结果表明,热沉温度越高、占空比越大时,器件达到稳态所需时间越长,有源区温度越高,中心波长红移越大;阈值电流越大,转换效率、斜率效率越低,输出功率越小。外推了半导体激光阵列在20 ℃热沉温度,20%高占空比,300 A高注入电流条件下工作的输出特性,得到输出功率超过300 W,转换效率达45%,且没有出现热饱和现象。
激光器 半导体激光阵列 温度 占空比 有限元法 大功率 
中国激光
2010, 37(2): 379
作者单位
摘要
1 桂林电子科技大学 电子工程学院,广西 桂林 541004
2 天津海洋测绘研究所,天津 300061
针对光谱仪在实验室测得的高光谱数据,提出一种高光谱数据处理系统,包括数据输入输出、数据重采样、数据预处理以及待测目标处理4大功能模块,并以不同水深的水体为待测目标,在ENVI平台下利用IDL语言开发水深反演模块。实验结果表明:该系统能够实现数据准确高速处理,并且处理结果可视化,同时该系统具有可扩展性,可以实现其他实测光谱数据的分析应用。
高光谱 可视化 二次开发 
激光与光电子学进展
2009, 46(11): 97

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