1 广东工业大学应用物理系,广州,510080
2 华南师范大学量子电子研究所,广州,510631
用激光诱导化学汽相沉积(LICVD)法制备纳米硅,发现:激光强度存在低限阈值,SiH4的流速存在着高限阈值,二者正相关,以维持SiH4裂解所需的高温.为了使纳米硅粒小而均匀,应加大激光强度,并相应加快SiH4的流速,以提高纳米硅粒的成核率,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数,并缩短每一个纳米硅核的生长期.纳米硅制取后退火脱H,纳米硅的红外吸收光谱发生变化:4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变.这是因为纳米硅的表面积很大,表面氧化使组态改变.为了减轻这样的氧化,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火,并且开始退火的温度低于300℃.
激光诱导化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 LICVD NanoSi Infraredspectrum
