1 广东工业大学应用物理系,广州,510080
2 华南师范大学量子电子研究所,广州,510631
用激光诱导化学汽相沉积(LICVD)法制备纳米硅,发现:激光强度存在低限阈值,SiH4的流速存在着高限阈值,二者正相关,以维持SiH4裂解所需的高温.为了使纳米硅粒小而均匀,应加大激光强度,并相应加快SiH4的流速,以提高纳米硅粒的成核率,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数,并缩短每一个纳米硅核的生长期.纳米硅制取后退火脱H,纳米硅的红外吸收光谱发生变化:4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变.这是因为纳米硅的表面积很大,表面氧化使组态改变.为了减轻这样的氧化,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火,并且开始退火的温度低于300℃.
激光诱导化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 LICVD NanoSi Infraredspectrum
报道了高气压密封长寿命千瓦级横流CO2激光器的结构、放电稳定性和长时间密封运转性能。讨论了在真空室中放入适量硅胶,对腔区进行有效冷却及提高气压对长时间密封运转的作用。 气流速度45m/s,工作气压82Torr,激活区长度80cm,输出功率1350W,效率15.6％,连续运转时间大于30小时。
在合理近似条件下,给出了横流CO2激光器谐振腔光轴最佳位置的近似表达式.理论与实验较好地吻合.
本文讨论了横流放电CO2激光器气体发热引起的折射率变化对光轴和横模的影响。计算表明,折射率变化的一阶小量会引起激光振荡轴位置和角度变化;折射率变化的二阶小量类似于轴对称放电管中的负透镜效应。这两种效应随着注入电功率、工作气压尤其是增益长度的增加而显著增大。
本文利用一个简化模型,在推导出电子分布函数的基础上,给出了横流CO2激光器小信号增益沿气流方向分布的近似表达式,导出了小信号增益与顺流位置、气流速度、气压、顺流电极长度、放电电流之间的关系。理论与实验基本符合。
