多晶硅表面制绒技术是太阳能光伏产业亟待突破的一个关键技术.本文根据多晶硅强酸制绒的基本原理，提出了表面活性剂钝化多晶硅表面以降低硅原子与酸反应速度从而改善多晶硅绒面形貌的方法.实验研究了不同含量的添加剂对酸液刻蚀多晶硅绒面形貌的影响，用扫描电镜观察对应的绒面结构，用积分反射仪测量其绒面的表面反射率.实验结果表明：加入活性剂后酸液能使多晶硅表面陷阱坑分布更加均匀，并且能有效消除产生漏电流的缺陷性深沟槽，样品表面反射率比较低，其表面反射率降低到21.5%.与传统酸液腐蚀的多晶硅绒面结构相比，陷阱坑密度明显增加，这种方法在多晶硅太阳电池的生产中是有价值的.

提出了多晶硅表面陷阱坑内表面高次绒面的陷光模型。利用测不准原理，分析了光子散射方向与绒面上凸点大小的关系，利用光学傅里叶变换推导了光子逃逸陷阱坑概率与绒面陷阱坑形貌的关系。理论分析结果表明内表面布满凹凸点的U字形陷阱坑反射率比V字形的低；而内表面光滑的U字形陷阱坑的反射率比V字形的高。利用扫描电子显微镜拍摄了碱液刻蚀的多晶硅样品表面图像，分析了碱液刻蚀的不同晶面陷阱坑的形貌。\[100\]晶面呈峡谷状的陷阱坑，\[111\]晶面呈扭曲的U字形凹坑，\[110\]晶面则显示混合结构。实验测量了样品不同晶面的反射率曲线，证实了U字形陷阱坑的绒面具有相对低的反射率，与理论分析结果基本吻合。

在普通碱液中添加一种特殊的添加剂，在不同时间下对单晶硅表面进行刻蚀.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌，结果显示：单晶硅片放入加入添加剂2 mL的刻蚀液中，经过10 min刻蚀后晶体表面零星出现大小不一的金字塔，并有大面积的平滑区；刻蚀15 min后金字塔大小趋向一致，平滑区面积缩小；刻蚀20 min硅片表面形成平均尺寸为2～4 μm金字塔绒面结构，并且均匀性好、覆盖率高；刻蚀25 min后，进入过腐蚀阶段，金字塔出现变大的现象.研究表明：与传统碱腐蚀相比，添加剂可以缩短单晶硅刻蚀时间，并获得较为理想的绒面结构，在工业上应用可以降低生产成本和生产时间，提高生产率.

提出了金属薄膜厚度对薄膜中自由电子的平均自由程影响的物理模型,并给出了薄膜中自由电子的平均自由程的修正公式.理论研究表明：当膜厚小于自由电子的平均自由程时，薄膜中电子平均自由程随膜厚的减小而减小;当膜厚大于或等于自由电子的平均自由程时，薄膜中电子的平均自由程与块状材料一样.利用薄膜中电子平均自由程的计算公式，修正了薄膜导电率的基本理论表达式，再利用金属薄膜的反射率与薄膜导电率的关系，得出金属薄膜厚度对其光反射率的影响.计算机模拟表明：当薄膜厚度小于电子自由程时，金属薄膜反射率随薄膜厚度变化而呈非线性关系.