1 上海交通大学 物理与天文系 人工结构及量子调控教育部重点实验室，上海 200240
2 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083
串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In0.53Ga0.47As/InP 探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要好.明显地发现短波长的光串音较小，正照射的串音比背照射要小，这是由材料吸收深度和异质结耗尽层宽度的影响造成的.另外，当台面的刻蚀深度穿透吸收层厚度时，其电串扰几乎完全被抑制.研究结果提出了相应的InGaAs FPA的低串音设计.
In0.53Ga0.47As/InP 焦平面阵 电串音 平面结构 台面结构 In0.53Ga0.47As/InP focal pla electrical crosstalk planar structure mesa structure 红外与毫米波学报
2015, 34(6): 0641
上海交通大学 物理与天文系 人工结构及量子调控教育部重点实验室, 上海 200240
从提高p-GaAs同质结太赫兹探测器量子效率出发, 在考虑温度和偏压等参数的影响后, 优化了谐振腔增强的p-GaAs同质结太赫兹探测器的材料及结构参数, 使探测器的量子效率提高到了17%.并计算了探测器的响应率、探测率和偏压、温度、光谱频率的关系, 得到了最佳工作偏压(10~40mV)、最佳工作温度(<8K)和最大探测率(4.1×1010cm Hz1/2/W).而通过施加一对匹配的反射镜来构造谐振腔的设计, 所能获得的极限量子效率为26%, 极限探测率和响应率分别为5.7×1010cm Hz1/2/W、25.9A/W.
p-GaAs同质结太赫兹探测器 谐振器增强 量子效率 探测率 p-GaAs homojunction THz detectors resonant cavity enhance quantum efficiency detectivity
