为分析TFT-LCD线残像, 研究了画面驱动数据电压通过电容(CDC)对公共电压的影响。首先根据实际膜层分布, 描述电容在膜层的具体构成, 并建立电路等效模型, 测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容。然后, 建立方法测试棋盘格画面公共电压畸变并分析其造成线残像的机理。最后, 设置“黑灰条”画面使畸变量最大化以便于分析畸变的形成过程和影响因素。实验结果表明: TFT开关关闭时呈现高阻态, CDC仅为公共电压和数据电压金属线交叠电容(C0), 电容值为55 fF; TFT完全打开时呈现低阻态, CDC由存储电容和C0并联构成, 电容值为530 fF; 当TFT处于中间态时, 测试得到的电容值为中间值。电容值越大, 数据电压转换速度越快, 畸变量越大。降低转换速度(48 ns→53 ns), 可减小畸变量(2.67 V→2.61 V)。

在液晶显示产品中，透过率是一个重要的光学特性指标。为了满足视角等光学指标要求，液晶显示产品会设计改变其偏光片透过轴的方向。在屏内部设计不变的条件下，不同偏光片方向对产品的透过率具有显著的影响。偏光片与背光存在匹配性问题。本文通过实验及理论研究，表明对于仅改变偏光片方向的产品而言，背光的偏振特性是影响相对透过率差异的主要因素，棱镜片是引起背光偏振特性的主要因素，背光主偏振方向与棱镜片方向近似垂直。在3°棱镜片背光架构下，相对透过率差异与背光偏振度呈线性关系，线性度达0.99以上。

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良, 本文分析了不同刻蚀模式（ICP和ECCP）对过孔形貌的影响, 利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O2/SF6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响, 并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明: ECCP模式下, 氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷, 是诱发过孔腐蚀的主要因素, ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大, 均一性下降; 偏置射频功率增大, 速率增大, 均一性提高; 源极射频功率增大, 速率变化小, 均一性下降; O2/SF6气体比例对速率影响小, O2含量越高, 均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的, 反应压力增大到1.7 Pa, 偏置射频功率减小到30 kW, 源极功率增加到30 kW, O2/SF6气体保持比例1∶1后, 增加了氮化硅的刻蚀量, 减小PR胶的内缩量, 避免物理溅射表面损伤; 同时刻蚀速率达到750 nm/s, 均一性达到10%, 腐蚀发生率为10%~0, 使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。