在液晶显示产品中，透过率是一个重要的光学特性指标。为了满足视角等光学指标要求，液晶显示产品会设计改变其偏光片透过轴的方向。在屏内部设计不变的条件下，不同偏光片方向对产品的透过率具有显著的影响。偏光片与背光存在匹配性问题。本文通过实验及理论研究，表明对于仅改变偏光片方向的产品而言，背光的偏振特性是影响相对透过率差异的主要因素，棱镜片是引起背光偏振特性的主要因素，背光主偏振方向与棱镜片方向近似垂直。在3°棱镜片背光架构下，相对透过率差异与背光偏振度呈线性关系，线性度达0.99以上。

对盒精度提升是高世代TFT-LCD面板生产线产品小型化、薄型化、高PPI（300+）与高开口率升级的必备核心技术。通过阵列（Array）与彩膜（CF）关键位置/尺寸匹配性优化与离散性优化, 首次尝试阵列关键位置精度（TP）非线性补正功能, 并钻研成盒（Cell）过程中基板翻转稳定化、封框胶设计与涂布工艺优化, 实现电视机、显示器、笔记本、平板电脑等产品对盒精度由7.5 μm降低至5.5 μm; 在解决显示器产品按压 Mura与平板电脑产品像素漏光的同时, 对产品开口率的贡献也随着产品PPI的升高而增加, PPI 300+产品的开口率余量提高14.8%, 有效提升了高世代TFT-LCD面板生产线小尺寸/高PPI产品核心竞争力、收益性和产品群组合。另外, 本文建立高世代TFT-LCD面板生产线对盒精度分析方法、对策检讨及改善的标准流程, 形成新产品阵列TP非线性补正和对盒 辅助封框胶的设计基准。

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良, 本文分析了不同刻蚀模式（ICP和ECCP）对过孔形貌的影响, 利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O2/SF6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响, 并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明: ECCP模式下, 氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷, 是诱发过孔腐蚀的主要因素, ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大, 均一性下降; 偏置射频功率增大, 速率增大, 均一性提高; 源极射频功率增大, 速率变化小, 均一性下降; O2/SF6气体比例对速率影响小, O2含量越高, 均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的, 反应压力增大到1.7 Pa, 偏置射频功率减小到30 kW, 源极功率增加到30 kW, O2/SF6气体保持比例1∶1后, 增加了氮化硅的刻蚀量, 减小PR胶的内缩量, 避免物理溅射表面损伤; 同时刻蚀速率达到750 nm/s, 均一性达到10%, 腐蚀发生率为10%~0, 使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。

广色域TFT-LCD产品需要使用高颜料浓度的RGB色阻, 光照状态下易于发生发绿不良, 严重影响TFT-LCD显示器件的视觉效果。通过研究不同成分的色阻制成的TFT-LCD与光电测试样板在光照前后的发绿情况以及光电特性变化, 确定TFT-LCD光致发绿不良源于绿色色阻中含有的金属酞箐类G颜料, 且不良程度与绿色色阻中G颜料含量强关联。此类颜料具有共轭结构与半导体特性, 光照状态下发生电子迁移, 导致介质损耗因数升高, 影响TFT-LCD的耦合电场, 进而导致RGB像素亮度的差异化, 形成光致发绿不良。依托方法: (1)在保证TFT-LCD样品色度规格的前提下, 通过广色域G颜料以降低绿色色阻中的G颜料含量; (2)使用高敏感度的光起始剂, 可以有效改善TFT-LCD产品的光致发绿不良, 尤其方法(1)更为有效。本文建立TFT-LCD显色核心的彩色滤光片RGB色阻成分管理基准, 同时搭建光致发绿不良的生产线与实验室评价体系, 为后续色阻材料开发提供理论指导。

线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良, 本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况, 从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先, 通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出, 然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值, 最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比, 同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明: 公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性; 信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系; 信号线与公共电极线的单位交叠面积从66 μm2降到37 μm2时, 其公共电极电压畸变程度降低了63%; 增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像, 当距离从1.49 μm增大到2.39 μm时, 公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平, 对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。

通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究，考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明，通过减小驱动信号线电压，或提高驱动信号的反转频率，均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46，耦合电压幅值由240 mV降为34.8 mV；当驱动信号方式由帧反转变为点反转时，耦合电压幅值由112.6 mV降为63.1 mV，有效地改善了线残像，并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理，为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。

基于砷化镓( GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管( PHEMT)工艺, 研制了一款 25～45 GHz宽带单片微波集成电路( MMIC)低噪声放大器。该放大器采用三级级联的双电源结构, 前两级在确保良好的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声; 末级采用最大增益的匹配方式, 保证了良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。此外还对源电感和宽带匹配都进行了优化, 实现了低噪声下的宽带输出。在片测试表明, 在栅、漏偏置电压分别为-0.38 V和 3V, 电流为 60 mA的工作条件下, 该放大器在 25～45 GHz频带内噪声系数小于 2 dB, 增益为( 22±1.5) dB, 输入、输出电压驻波比典型值为 2:1, 1 dB增益压缩输出功率 (P－1 dB)典型值为 10 dBm。该低噪声放大器可以用于宽带毫米波收发系统。