设计了一种双宽带毫米波低噪声放大器。该低噪声放大器可通过射频开关对无源电感重新配置, 使其可以分别工作在中心频率为28 GHz和32 GHz的频段下, 适用于5G毫米波通信。该可重构低噪声放大器基于55 nm CMOS工艺设计。后仿真结果表明, 该可重构低噪声放大器在控制电压(Vs)为0 V的情况下, 在中心频率为28 GHz时, 增益为23 dB, 输入1 dB压缩点为-54 dBm; 在-3 dB带宽261~322 GHz(61 GHz)内, 噪声系数为41~44 dB; 在Vs为12 V的情况下, 在中心频率变为32 GHz时, 增益为20 dB, 输入1 dB压缩点为-75 dBm; 在-3 dB带宽28~34 GHz(6 GHz)内, 噪声系数为44~47 dB。芯片面积为070×055 mm2, 在12 V的电源电压下功耗为252 mW。

基于018 μm CMOS工艺设计了一种用于WBAN 402~405 MHz频段具有低功耗全数字锁频和灵敏度校准功能的超再生收发机。采用具有噪声抵消技术的巴伦低噪声放大器, 以减少无源匹配器件数量和适应低压工作; 超再生数控振荡器采用数字控制电容阵列实现频率调谐, 以消除猝灭操作期间振荡器的频率漂移; 采用全数字锁频环替代频率综合器, 以降低传感器节点的功耗; 灵敏度校准环路与自动幅度控制环路共享组件, 以减小校准误差, 并能够在不中断接收状态的情况下动态校准接收机灵敏度。仿真结果表明, 在1 V电源电压下, 接收机灵敏度为-90 dBm, 功耗为189 mW, 其中全数字锁频环功耗为78 μW; 发射机功耗为196 mW, 效率为28%。

采用SANAN公司的0.25 μm E-Mode pHEMT工艺，基于ADS仿真，设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式，实现了3.3 V单电源供电。同时，设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构，实现了宽带匹配。仿真结果表明，该LNA在2.0~4.2 GHz频段内，最大增益为30.9 dB，增益平坦度为±0.6 dB左右，输入回波损耗小于-9 dB，输出回波损耗小于-12 dB；噪声系数为(1.2±0.14) dB；系统稳定性因子K在全频带内大于2.8；芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。

采用55 nm标准CMOS工艺，设计并流片实现了一种应用于Wi-Fi 6(5 GHz)频段的宽带全集成CMOS低噪声放大器(LNA)芯片，包括源极退化共源共栅放大器、负载Balun及增益切换单元。在该设计中，所有电感均为片上实现；采用Balun负载，实现信号的单端转差分输出；具备高低增益模式，以满足输入信号动态范围要求。测试结果表明，在高增益模式下该放大器的最大电压增益为20.2 dB，最小噪声系数为2.2 dB；在低增益模式下该放大器的最大电压增益为15 dB，最大输入1 dB压缩点为-3.2 dBm。芯片核心面积为0.28 mm2，静态功耗为10.2 mW。

针对光载无线通信(RoF)系统对高增益、小型化光接收模块(ROSA)的需求, 基于混合集成技术, 设计并制作了一种高增益的四通道ROSA器件, 尺寸为20.0mm×14.0mm×5.9mm。模块内集成了低噪声放大器(LNA)芯片以提高射频信号增益, 建立了射频信号传输电路, 并对器件特性进行了仿真分析。经测试, 器件的射频信号增益达14dB, -3dB带宽为23GHz, 在1550nm波长的入射光下, 器件的响应度为0.81A/W, 相邻信道之间的射频信号串扰小于-40dB。该模块对于减小RoF系统的体积和功耗具有重要意义。

基于0.18 μm CMOS工艺，设计了一种应用于VHF频段直接射频采样接收机的低噪声放大器。为解决在VHF频段使用电感而造成的面积大、难集成等问题，采用无电感结构设计，使电路具备单端输入、双端输出的功能；为减少噪声，采用共源共栅负反馈噪声抵消结构。后仿真结果表明，在30~300 MHz频带内，整体电路的输入匹配参数S11小于-15 dB，输出匹配参数S22小于-12.6 dB，增益范围为25.22~25.39 dB，噪声系数小于1.927 dB。版图尺寸为204 μm×365 μm。

设计了一种采用可调谐有源电感(TAI)的多频段低噪声放大器(MBLNA)。在放大级中，由电感值及Q值可多重调谐的TAI与电容值可调谐的变容二极管构成选频网络，并结合共射-共基放大电路，实现对不同频段信号进行选择放大。输入级采用带有输入串联电感与发射极电感负反馈的共射放大电路，实现了MBLNA输入阻抗的宽带匹配。输出级采用共射放大电路，在满足输出匹配的同时，再次对信号进行放大，保证了MBLNA的高增益，同时输出级与放大级构成电流复用结构，降低了整体电路功耗。基于WIN 0.2 μm GaAs HBT工艺库，利用ADS对MBLNA的主要性能参数进行验证。结果表明，该MBLNA可以在1.9 GHz、2.4 GHz、3.4 GHz、5.2 GHz等多个频段下工作；电压增益S21分别为27.2 dB、25.5 dB、21.6 dB、17.4 dB；噪声系数NF在1.3 dB~5.2 dB之间；输入和输出匹配良好；电路总功耗仅为17.5 mW。

采用025 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺，设计并实现了一种应用于5G通信22~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合，不使用源极电感，实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明，22~4 GHz频段增益大于24 dB，输出3阶互调(OIP3)为28 dBm，噪声系数(NF)小于078 dB，功耗为190 mW，芯片面积为(810×710) μm2。综合指标(FOM)为144 dB，与同类LNA相比具有一定的优势。