在传统Doherty功率放大器的基础上,采用砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款可应用于5G通信N79频段(4.4~5 GHz)的高回退效率MMIC Doherty功率放大器(DPA)。通过在Doherty电路中采用共射-共基结构,并在共射-共基结构中加入共基极接地电容,大幅提升了DPA的增益和输出功率。使用集总元件参与匹配,减小了芯片的面积。仿真结果表明,在目标频段内,增益大于28 dB,饱和输出功率约为38 dBm,饱和附加效率(PAE)为63%,7 dB回退处的效率达到43%。

采用025 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺，设计并实现了一种应用于5G通信22~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合，不使用源极电感，实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明，22~4 GHz频段增益大于24 dB，输出3阶互调(OIP3)为28 dBm，噪声系数(NF)小于078 dB，功耗为190 mW，芯片面积为(810×710) μm2。综合指标(FOM)为144 dB，与同类LNA相比具有一定的优势。

成功研制了栅长为0.15 μm、栅宽为2×50 μm、源漏间距为2 μm 的InP 基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下，当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时，其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032 Ω·mm，器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7 Ω·cm-2. 正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻，进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz， S参数外推出来的fT 和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.

采用fT= 214 GHz, fmax= 193 GHz 的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺，设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60~100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62~83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.

报道了基于InP 基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器, 器件的最高振荡频率fmax为150 GHz. 放大器的输出极发射极面积为15 μm×4 μm. 功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB， 饱和输出功率为13.92 dBm. 放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm. 整个芯片传输连接采用共面波导结构, 芯片面积为1.06 mm×0.75 mm.