基于砷化镓( GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管( PHEMT)工艺, 研制了一款 25～45 GHz宽带单片微波集成电路( MMIC)低噪声放大器。该放大器采用三级级联的双电源结构, 前两级在确保良好的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声; 末级采用最大增益的匹配方式, 保证了良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。此外还对源电感和宽带匹配都进行了优化, 实现了低噪声下的宽带输出。在片测试表明, 在栅、漏偏置电压分别为-0.38 V和 3V, 电流为 60 mA的工作条件下, 该放大器在 25～45 GHz频带内噪声系数小于 2 dB, 增益为( 22±1.5) dB, 输入、输出电压驻波比典型值为 2:1, 1 dB增益压缩输出功率 (P－1 dB)典型值为 10 dBm。该低噪声放大器可以用于宽带毫米波收发系统。