针对AgSnO2触头材料存在的不足，采用基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2、Ni单掺杂、Mo单掺杂以及Ni-Mo共掺杂SnO2材料进行了电性能与力学性质的研究，计算了各体系的形成能、能带结构、态密度、弹性常数等各项参数。结果表明，掺杂后的材料可以稳定存在，且仍为直接带隙半导体材料。与未掺杂相比，掺杂后体系的能带结构带隙值减少，其中Ni-Mo共掺杂时的带隙值最小，载流子跃迁所需能量减少，极大地改善了SnO2的电性能; 由弹性常数计算了剪切模量、体积模量、硬度等参数，其中Ni-Mo共掺杂时的硬度大幅降低，韧性增强，有利于AgSnO2触头材料后续加工成型，且其普适弹性各向异性指数最小，不易形成裂纹。综合各项因素，Ni-Mo共掺杂能够很好地改善SnO2的性能，为触头材料的发展提供了理论指导。

微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200 μm×60 μm 单个及间距100 μm 的3,5,9 的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化。结果表明,单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36 A 稳态工作的激光器阵列冷却到342 K,9 个微通道可以冷却到306 K。仿真了增加微通道间距的温度分布,发现为间距260 μm 的5 个微通道热沉,可以将激光器冷却到308 K。