飞行动作识别对飞行训练质量评估、提升飞行员的驾驶技术具有重要意义。在飞行动作序列数据中, 某时刻飞行状态数据及该状态对应的某些飞参数据对飞行动作识别有非常重要的贡献, 但传统的注意力机制只关注上层状态特征的贡献值, 而忽略了下层特征的影响。为有效提取飞参数据的关键特征表示, 提出聚焦注意力(FA)机制, 扩展了传统注意力机制, 进一步聚焦注意力, 学习其下层特征对上层的贡献。同时, 本研究将FA机制扩展到BiLSTM网络中, 提出FA-BiLSTM网络模型, 该模型不仅重点关注飞行动作序列中关键时刻的飞行状态数据, 还可学习该飞行状态中关键的飞参数据。实验表明, 该方法有效提升了飞行动作识别的准确率, 加权平均准确率达到了94%。

基于绿光器件ITO/HAT-CN/TAPC/CBP∶Ir(ppy)3/TmPyPB/Liq/Al, 通过在Liq中掺杂不同浓度的Yb作为电子注入层修饰电极, 研究Yb不同浓度的掺杂比对器件性能的影响。研究表明, 在Liq中掺杂微量的Yb能有效提高器件的光电性能。当Yb的掺杂比为1.85%时, 器件性能最好。在0.25 mA/cm2的条件下点亮, 启亮电压为3.65 V, 最高亮度为26 720 cd/m2, 最高电流效率为87.07 cd/A, 最高功率效率为74.89 lm/W, 最高外量子效率为24.07%。与参考器件对比, 其最高亮度提高2 181 cd/m2, 最高电流效率提高18.42 cd/A, 最高功率效率提高10.6 lm/W, 最高外量子效率提高5.27%。

为了得到低驱动电压、高光效的有机电致发光二极管(OLED), 本文介绍了一种激基复合物mCP∶PO-T2T。首先通过测试mCP、TPBi、PO-T2T、mCP∶TPBi和mCP∶PO-T2T薄膜的光致发光光谱, 确定了mCP∶TPBi、mCP∶PO-T2T具备激基复合物性能要求, 并分别将上述两种激基复合物作为发光层主体, 制备器件结构为HATCN(10 nm)/TAPC(40 nm)/TCTA(10 nm)/mCP(10 nm)/mCP∶X∶FIrpic(20 nm, Y ,15%)/X(50 nm)/LiQ(2 nm)/Al(120 nm)的蓝光OLEDs。当X为PO-T2T, Y=42.5%(质量分数)时, 对应蓝光器件开启电压为2.83 V, 功率效率和电流效率分别达到了35.5 lm/W和33.1 cd/A。在此基础上, 将0.2%(质量分数)的黄光磷光材料PO-01掺入上述器件的发光层, 得到了基于激基复合物主体的暖白光OLED, 该器件获得了63.7 lm/W的功率效率、61.8 cd/A的电流效率以及19.9%的外量子效率, 实现了具备低电压、高效率、色偏较小等优越性能的暖白光OLED。

为了提高顶发射OELD的效率, 降低电压, 基于纳秒激光刻蚀技术制备了一种用于顶发射OLED的低成本可重复的方形微结构阵列基板, 在此基础上制备了顶发射OLED器件。实验发现, 利用这种基板可以有效提高器件的出光效率, 降低器件的驱动电压。其中, 使用20 μm的方格微结构阵列基板的器件的最高效率达到66.7 cd/A, 40 mA/cm2下亮度达到20 103 cd/m2, 相比于未经刻蚀的无结构器件分别提高9.8%和6.9%; 而使用40 μm的方格微结构阵列基板的器件驱动电压最低, 在40 mA/cm2下为9.58 V, 相较未经刻蚀的无结构器件降低了0.26 V。分析表明, 器件光效的提升和驱动电压的降低主要有两点原因: 首先由于基于微结构阵列基板制备的器件中存在褶皱结构, 可以破坏器件的光波导, 并且增大了器件面积而降低驱动电压; 其次纳秒激光刻蚀产生的光栅条纹可以提高光提取效率, 同时增强局部电场以提高电极的载流子注入能力。