迁移学习技术可以利用经验信息辅助当前任务, 已在计算机视觉和语音识别领域得到广泛应用, 但在电磁领域还没有取得明显的成就。电磁环境变化速度快, 源数据或分类器模型在新环境中性能会显著下降, 重新训练不仅需要大量的数据且费时费力。迁移学习技术与电磁目标识别任务十分相关, 本文采用实测电磁目标数据集, 探索迁移学习在解决电磁目标小样本问题中的几种应用, 包括同类目标迁移和异类目标迁移。实验结果表明, 通过将预训练模型迁移到目标域小样本识别任务, 当目标域为同类源且标记样本只有 20个情况下, 相较于非迁移模型, 验证准确率提高 25%, 并且大大缩短了目标域训练时间; 当目标域为异类源时, 也能够在保证识别准确率的同时使训练时间少于源域的 1/5。

在4-inch蓝宝石图形衬底上, 基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片, 并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合, 封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程, 并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形貌良好, 蓝光外延片荧光光谱(PL)显示峰值波长为442 nm。对封装后白光芯片进行电学特性测试, 得出其开启与限流电压分别为2.7 V与3.6 V。此外, 电致发光光谱(EL)含有两个主要的发光峰, 分别是440 nm的蓝光峰以及540 nm的黄绿光峰, 而随着注入电流的增加, 蓝光峰位先蓝移后红移, 黄绿光峰位先红移后蓝移再红移。本文中相关的芯片制备及表征技术将对固态照明研究起到一定的促进作用。

基于表面等离子体共振(SPR)技术,设计了一种具有较高调制系数的金属纳米线阵列电光 调制器结构。通过改变驱动电压使反射谱的反射率发生变化,实现电光调制。利用时域有限差 分(FDTD)法对金属纳米线阵列层和缓冲介质层的参数进行优化配置,并研究了其结构参数对反射 谱反射率的影响。结果表明:当金属纳米线直径为34 nm、缓冲介质层厚度为1600 nm时, 电光调制器的模式耦合能力达到最强；随着驱动电压的逐渐增加,反射光谱的全吸收峰出 现明显的右移;通过调节加载在电极上的驱动电压可实现电信号对光信号的电光调制。

提出一种基于长程表面等离子体的介质-金属纳米线阵列-非线性介质复合全光调制器.考虑克尔效应对折射率变化的影响, 采用时域有限差分法分析了金属纳米线直径、介质层厚度和泵浦光强度对反射谱的影响, 通过合理配置金属纳米线和介质层的参数提高调制器的耦合性能, 并在此基础上分析不同强度泵浦光的反射特性.结果表明: 当金属纳米线直径为40 nm, 介质层厚度为1 800 nm时, 全光调制器的模式耦合能力达到最强.反射谱的反射率与泵浦光强度的变化呈线性关系, 相关系数为0.998 1, 且只需要0.5 GW/cm2功率的泵浦光就能使入射光的反射率从0.015提高到0.82, 较好地实现光信号对光的全光调制.

提出了一种新型金属-绝缘体-半导体(MIS)混合表面等离子体结构,基于时域有限差 分法验证了该结构在归一化频率范围(0.243～0.271)a/λ内具有明显的TM模式带隙。在二维光子晶体层 移除或改变中间行空气孔半径构成线缺陷,形成混合波导结构1和2。分析表明入射光频率位于 带隙内的光子能量被很好地局域在低折射率层中,且只能沿线缺陷传输。当入射波长为1550 nm时,两 种波导的传输距离分别为18.41 μm、15.70 μm, 群速度极值分别为0.186c、0.166c, 品质因数达 到384.74、1042.50。此波导能通过光子晶体层的线缺陷控制低折射率层表面等离子体(SPP)激光的传输路径,为波导 器件的研究提供了有效的理论依据。