作者单位
摘要
1 苏州科技大学电子与信息工程学院, 江苏 苏州 215009
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器。实验研究表明, 当在太赫兹天线与引线电极之间加入低通滤波器时, 太赫兹耦合天线的谐振性能恢复, 室温下器件的响应度达到了1.05×103 V/W;测试带宽为1 Hz时, 器件的噪声等效功率达到了4.7×10-11 W。利用该探测器单元对不同材料进行了快速扫描成像, 结果表明, 该探测器单元具有较好的成像分辨率, 且器件的响应速度优于商用的气动探测器的和热释电探测器的。
探测器 太赫兹 高电子迁移率晶体管 滤波器 扫描成像 
光学学报
2018, 38(3): 0304001

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