北京工业大学，北京光电子技术实验室，北京 100022
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源，分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层，随C掺杂浓度增加，禁带宽度收缩，PL谱峰值半宽增大，晶格常数减小。
光电子学 GaAs掺杂 光荧光谱 X射线衍射 optelectronics GaAs doping PL spectra DC XRD
1 北京工业大学,电控学院,光电子技术实验室,北京,100022
2 北京工业大学,电控学院,光电子技术实验室,北京,100022??br>
外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的.应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法.据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm.结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据.
金属有机化合物汽相淀积 布拉格反射镜 反射谱 膜厚测定
北京工业大学,光电子技术试验室,北京,100022
应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究.计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响.同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法.
垂直腔面发射激光器 光学薄膜 驻波场 半导体激光器
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.
光电子学 应变量子阱 光增益 半导体激光器 optoelectronics strain quantum well optical gain AlInGaAs AlInGaAs semiconductor laser
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.
光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积 optoelectronics semiconductor lasers strain quantum wells metallorganic chemical vapor deposition
