采用光学显微镜、扫描电子显微镜和拉伸试验机研究了屈服强度为360 MPa级高强度冷轧双面搪瓷用钢搪烧前后的显微组织和力学性能, 应用氢渗透实验评价了实验钢的抗鳞爆性能, 并在实验室进行了湿法和静电干法涂搪实验。研究结果表明: 搪烧前后实验钢的显微组织均为铁素体, 经过搪烧, 铁素体由扁平状变为等轴状, 平均晶粒尺寸由5.47 μm增大至7.07 μm, 搪烧前后实验钢的析出相主要是C、S和Ti的析出相及部分C、S和Mn、Ti的复合析出相, 搪烧后晶粒内析出物数量明显变少。实验钢搪烧前的屈服强度、抗拉强度和伸长率分别为382 MPa、469 MPa和34.5%; 搪烧后的屈服强度降低至355 MPa, 抗拉强度降低至405 MPa, 伸长率增加至38%。强度的降低是由于铁素体平均晶粒尺寸增大、第二相析出物密度降低导致的。实验钢的氢渗透时间为9.68 min, 经湿法和静电干法双面涂搪、烧成后无鳞爆, 密着性能良好。

法莫替丁是组织胺H2受体拮抗剂,具有减弱胃酸生成的作用。通过分析荧光光谱和紫外可见吸收光谱探寻了法莫替丁与牛血清蛋白(BSA)的猝灭作用,并阐明两者间的作用机制。通过分析可知,法莫替丁能有效猝灭BSA的内源荧光,猝灭机制为静态猝灭。测定了法莫替丁与BSA在306 K和314 K下的表观结合常数K_A,分别为9.861×10 ⁴,3.891×10 ⁴ L/mol。通过对猝灭过程中的热力学参数进行分析,得出法莫替丁与BSA的作用力主要是氢键和范德瓦耳斯力。凭借F rster非辐射能量转移理论计算得到了法莫替丁和BSA的相互作用距离为1.25 nm,发生了非辐射能量转移。

采用荧光光谱法、紫外可见吸收光谱法以及同步荧光光谱法研究了米格列奈钙与牛血清白蛋白(BSA)之间的相互作用。实验结果表明,米格列奈钙对牛血清白蛋白的荧光有较为明显的猝灭作用,其猝灭机制为动态猝灭,遵循Stern-Volmer方程;根据F rster的非辐射能量转移理论,计算出米格列奈钙分子与牛血清白蛋白分子的结合距离为5.461 nm;用同步荧光光谱技术探究了米格列奈钙对BSA构象的影响,结果发现,当激发和发射波长差为60 nm时,荧光峰位发生了微小的蓝移,说明BSA色氨酸残基附近的外围微环境受到了米格列奈钙分子的影响,极性减弱, BSA的疏水性增强。

外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的.应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法.据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm.结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据.

应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究.计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响.同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法.

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.