山东大学晶体材料国家重点实验室, 晶体材料研究所, 济南 250100
本文以P, Si, Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭, 分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出12 mm×40 mm和15 mm×50 mm优质CdSiP2单晶体。所生长的晶体中无宏观散射颗粒, (004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40″。透过光谱表明CdSiP2晶体在2~6.5 μm的透过率达到57%, 接近其理论最大值。辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属。电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn2+的存在, 这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收。
非线性光学晶体 红外激光 磷硅镉 晶体生长 透过率 nonlinear optical crystal infrared laser CdSiP2 crystal growth transmittance
