1 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083
2 中国科学院北京物理研究所,北京,100080
在分子束外延生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较.发现,采用分子束外延方法生长器件的不对称性更明显.
量子阱红外探测器 不对称性 解吸附速率. QWIP asymmetry desorptionrate.
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量(5×1014～5×1015/cm-2/)的增加从766nm持续蓝移至753nm，光响应峰值波长从8.2μm移至10.3～μm。
质子注入 快速退火 量子阱 H+ ion implantation rapid thermal annealing GaAs/AlGaAs GaAs/AlGaAs QWIP
