中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083
本文采用显微拉曼光谱实验的方法对红外目标模拟器中的重掺杂Si电阻微桥单元进行了绝对温度的测量,并根据斯托克斯与反斯托克斯强度与温度关系以及Raman峰位移动与温度依赖关系两种方法确定温度,保证了所测温度的可靠性.针对Si桥建立相应的Raman模型,选择合适的物理参数,最终得到了反映Si桥工作特性的电流-温度关系.此外,通过对Si桥的空间分辨的测量实验,得到了Si桥上的温度分布状况,对了解其电阻、热导及氧化等特性十分有用.所有结果表明该方法是器件优化的有效途径.
Raman 光谱 Si桥 温度测定 Raman scattering Si bridge Temperature measurement
1 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
2 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东 济南 250100
以Bi(NO3)3*5H2O和Ti(OC4H9)4)为原料,采用化学溶液分解法(CSD)成功地合成了Bi4Ti3O12纳米晶体材料.这些纳米晶经过X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)的初步研究,观察到了层状结构的Bi4Ti3O12,并发现了Bi4Ti3O12纳米晶体具有棒状结构.
纳米材料 CSD法. nanocrystalline materials Bi4Ti3O12 Bi4Ti3O12 CSD technique.
1 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海200083
2 中国科学院物理研究所, 北京,100080
对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱(μ-PL)测量,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中Al含量相关,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算,获得了Al组分和阱宽值，并由此推算出相应的红外探测响应波长,与光电流谱的实验结果相比吻合良好.这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选.
量子阱红外探测器 多量子阱 光荧光 峰值响应波长. quantum well infrared photodetectors multi-quantum well photoluminescence peak response wavelength.
1 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083
2 中国科学院北京物理研究所,北京,100080
在分子束外延生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较.发现,采用分子束外延方法生长器件的不对称性更明显.
量子阱红外探测器 不对称性 解吸附速率. QWIP asymmetry desorptionrate.
1 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083
提出并实现了用微米级空间分辨率的显微光致发光(μ-PL)平面扫描谱对CdZnTe(CZT)晶片的表面亚微米层特性研究.在含缺陷区域进行微米尺度和在大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合.拟合参数中等效温度Tc的统计分布给出两个分布中心,表明存在有两种机制的发光过程.同时统计结果给出发光各点的不均匀性.等效温度的平面分布图直观地给出了各温度的平面位置，样品经溴抛光后重复类似的测量,结果表明等效温度的统计均匀性大为改善.抛光后的不同的缺陷点表现出不同的发光特性,意味着各自起源的不同.大面积PL扫描的统计结果和平面分布给出样品特性的整体评价.
CdZnTe晶体 显微光致发光 平面扫描 等效温度. CdZnTe crystal micro-photoluminescence mapping effective temperature.
1 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2 中国科学院物理研究所,北京,100080
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率。通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。
多量子阱 红外探测器 γ射线辐照 multiple quantum well infraredphotodetector gamma irradiation
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量(5×1014～5×1015/cm-2/)的增加从766nm持续蓝移至753nm，光响应峰值波长从8.2μm移至10.3～μm。
质子注入 快速退火 量子阱 H+ ion implantation rapid thermal annealing GaAs/AlGaAs GaAs/AlGaAs QWIP
