北京工业大学 信息学部 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124
采用双靶共溅射的方法制备了光电性能较好的掺Al氧化锌(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪、霍尔测试仪、SEM等多种技术手段研究了不同的Al溅射功率和快速退火条件对AZO薄膜的影响,发现AZO薄膜在Al溅射功率为15W、退火温度为400℃时性能最佳。当Al溅射功率为15W时,其电阻率最低为6.552×10-4Ω·cm,可见光波段(400~700nm)平均透过率超过92%。随着Al溅射功率的增大,可见光波段的透过率逐渐减小,红外波段(2.5~20μm)的透过率逐渐增大,最大为40%。
AZO薄膜 双靶共溅射 Al溅射功率 快速退火 红外 AZO film dual target co-sputtering Al sputtering power rapid annealing infrared
中国电子科技集团公司第五十五研究所, 江苏 南京 210016
作为半导体生产 中的一种重要设备, 快速退火炉需要实现精确、可靠的温度控制。 它通常使用辐射式高温计来检测温度。在使用过程中, 由于诸 多原因, 需要对高温计进行校温。基于某型进口快速退火 炉, 分析了其高温计的校温方法。介绍了热电偶和熔点测 试采样方法, 并采用这两种方法丰富了采样数据。通过 线性计算估算了1000 ～ 1500℃范围内的校温数据; 基于曲线 拟合进行了数据采样, 得到了更加准确的校温结果。通过比 较, 分析了两种校温方法各自的优缺点。结果表明, 线性计算校温法更适 用于1100℃以下的校温; 曲线拟合校温法更适用于1100℃以 上的校温。
高温计 快速退火炉 校温 pyrometer RTA temperature calibration
1 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 安徽 合肥 230009
2 合肥工业大学 化学与化工学院, 安徽 合肥 230009
利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜并对其进行快速退火处理, 利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、X射线能量色散谱(EDS)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)分光光度计研究了不同溅射功率(60~120 W)条件下制备的SnS薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌以及有关光学特性。结果表明: 经快速退火的薄膜均已结晶, 提高溅射功率有利于改善薄膜的结晶质量、生长择优取向程度和化学配比, 薄膜的平均颗粒尺寸呈增大趋势; 溅射功率为100 W的薄膜样品的结晶质量和择优取向度高, 薄膜应变最小, 且为纯相SnS薄膜, Sn/S组分的量比为1∶1.09, 吸收系数达105 cm-1量级, 直接禁带宽度为1.54 eV。
SnS薄膜 射频磁控溅射 快速退火 晶体结构 光学特性 SnS thin film RF magnetron sputtering rapid thermal annealing crystalline structure optical properties
1 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 安徽 合肥 230009
2 合肥工业大学 化学与化工学院, 安徽 合肥 230009
利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜, 并在Ar气保护下分别在200, 300, 400, 500, 600 ℃对薄膜进行快速退火处理。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了快速退火温度对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学性质和电学性能的影响。所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长, 退火温度为400 ℃时的薄膜结晶质量最好。薄膜均具有SnS特征拉曼峰。随着退火温度的升高, 薄膜厚度逐渐减小, 而平均颗粒尺寸逐渐增大。不同退火温度下的SnS薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105 cm-1量级, 400 ℃时退火薄膜的直接带隙为1.92 eV。随着退火温度从300 ℃升高到500 ℃, 电阻率由1.85×104 Ω·cm下降到14.97 Ω·cm。
SnS薄膜 脉冲激光沉积 快速退火 光学性质 SnS thin film pulsed laser deposition rapid thermal annealing optical properties
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室， 江苏 南京 210093
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做ω扫描，并且通过倒异空间图(RSM)扫描，拟合得到了刃位错与螺位错密度，并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较，同时结合迁移率的测量结果，发现快速退火温度采用400 ℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性，降低材料中的载流子浓度，同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位，降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时，(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。
薄膜 快速退火 X射线衍射 氮化铟 掺杂 位错
1 中国科学院 研究生院, 北京 100039
2 中国科学技术大学, 安徽 合肥 230026
3 中国科学院 高能物理研究所, 北京 100049
采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜, 结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900 ℃)及退火气氛(N2, O2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。 并优化条件得到具有最小半峰全宽及最大晶粒尺寸的薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明: 氮气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为900 ℃; 氧气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为800 ℃。红外(IR)光谱中, 退火后Zn-O特征振动峰红移, 说明在退火过程中, 原子重新排布后占据较低能量位置; 同样的退火温度下, 氮气氛下退火的薄膜质量更优。同步辐射光电子能谱(synchrotron-based XPS)分别表征了未退火及N2, O2下900 ℃退火的ZnO薄膜, 分峰拟合结果表明氧气氛下退火产生更多的氧空位。 结构表征结合光致发光(PL)谱表明绿光的发光峰与氧空位有关。
ZnO薄膜 快速退火 光致发光 X射线光电子能谱 氧空位 thin ZnO films rapid thermal annealing photoluminescence XPS oxygen vacancies
南开大学 信息技术科学院 光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071
研究了110~180 ℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明：对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说, 150 ℃, 2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中, 退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大, 这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用, 从薄膜的电阻率有少量提高, 器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证; 而对于高Ga电池来说, 填充因子FF的改善最大, 这是因为高Ga样品的缺陷较多, 退火会消除薄膜内部的部分缺陷, 从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高, 使得FF有较大的增加.
CIGS薄膜太阳电池 成分比例 快速退火 二极管特性 Cu(In Ga)Se2 solar cell Content ratio Rapid thermal annealing Diode characteristics
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量(5×1014～5×1015/cm-2/)的增加从766nm持续蓝移至753nm，光响应峰值波长从8.2μm移至10.3～μm。
质子注入 快速退火 量子阱 H+ ion implantation rapid thermal annealing GaAs/AlGaAs GaAs/AlGaAs QWIP
本文介绍一种用计算全息方法制作的激光扫描器,理论上衍射效率可达40%. 扫描矩形面积2×3mm~2,当Ar~+激光功率为4W时,对砷离子注入硅的退火是有效的.
快速退火 激光扫描器
